ECH8308-TL-H由onsemi(安森美)设计生产,立创商城现货销售。ECH8308-TL-H价格参考￥2.04。onsemi(安森美) ECH8308-TL-H参数名称:类型:1个P沟道;漏源电压(Vdss):12V;连续漏极电流(Id):10A;耗散功率(Pd):1.6W;栅极电荷量(Qg):26nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.3nF@
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制造商产品型号:ECH8308-TL-H 制造商:ON Semiconductor 描述:MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:- 零件状态:有源 FET类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):12V 25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V 不...
型号: ECH8308-TL-H 封装: 21+ 批号: 原装封装 数量: 2300 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: ECH-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 12 V Id-连续漏极电流: 10 A Rds On-漏源导通电阻: 12.5 mOhms...
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