EC2612-99F基于0.15µm栅极伪晶型高电子迁移率晶体管(0.15µm pHEMT)技术。 浇口宽度为120µm,0.15微米。T形铝制闸门具有低电阻和出色的可靠性。 该器件显示出非常高的跨导,从而导致非常高的频率和低噪声性能。 它以芯片形式提供,带有通过孔连接的源极,仅需限制栅线和漏极线。
EC2612-99F 是一款理想的小型晶体管,适用于低噪声应用和/或切换到非常高的频率。 EC2 612-99F是一款非常小的高频晶体管,在直流到毫米波频率范围内具有非常高的增益和非常低的噪声系数。 0.8dB 噪声系数和 12dB 相关增益在 18GHz 或 1.5dB 噪声系数和 9.5dB 相关增益在 40GHz 是典型的品质因数。 这种GaAs ...
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型号:EC2612-99F/00 PDF下载:下载PDF文件查看货源 内容描述:40GHz的超低噪声PHEMT [40GHz Super Low Noise PHEMT] 分类和应用:晶体晶体管 文件页数/大小:8 页 / 114 K 品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ] 40GHz Super Low Noise PHEMT ...
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关于(United Monolithic)EC2612-99F 实际应用·成本范围·产能数量! United Monolithic Semiconductors Part#p/n:EC2612-99F RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PHEMT射频信号晶体管(pHEMT栅极晶体管)
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