AZtecCrystal导出EBSD:IPF、GB、OS(再结晶)、GND(几何必须位错)、KAM(局部取向差)、极图、反极图、角度取向差 1344 0 14:35 App AZtecCrystal mapsweeper取向修正后计算几何必需位错更准确 1.4万 0 01:49 App AZtecCrystal处理EBSD数据 IPF、GB、OS、GND、AE 2330 0 01:53 App 【砖愁君】EBSD数据处理:Az...
EBSD中得到的KAM图可以用来计算几何位错密度,从而判断在变形过程中材料应力分布的状态。 一般来说,几何位错密度可以用下列公式来表示: ρGND= 2KAMave⁄μb 其中μ是EBSD实验所选步长,是Burgers矢量的长度,KAMave代表所选区域的平均KAM值,其可用下面公式来计算: KAML,i是在点i处的局部KAM值,N代表测试区域点的...
#科研 #科研狗的日常 #研究生 #sci #sci论文 上海交通大学陈哲教授课题组通过结合原位拉伸测试和全局数字图像相关(I-DIC)EBSD技术,报道了多晶Al-Mg合金中GND位错密度分布在拉伸塑性变形下的演变过程,并与TEM位错表征 - 材料科学与工程于20241118发布在抖音,已经收获了1
ebsd测试 ebsd制样 ebsd数据分析 mtex 震动抛光,电解抛光,化学抛光,氩离子抛光制样 软件 数据分析 马氏体相变 重构 PF IPF IGMA GND 几何必须为错 几何相容因子 施密特因子的分布图/反极图投影/滑移系类型… 阅读全文 赞同添加评论 分享 ...
ρGND=2θ/μb 图2为AZ31B镁合金在不同循环周期下利用KAM图计算的几何位错密度值,利用这些数据可判断出在何种疲劳周期下,材料更容易断裂。 图2 AZ31B镁合金在不同循环周期下利用KAM图计算几何位错密度值[2] 3. 利用GOS定性判断位错密度 晶粒取向扩展(GOS)是区分DRX晶粒与变形基体以及确定再结晶晶粒面积分数的重...