因此,在设计中应尽量避免大能量EAS的发生,以保护器件的长期可靠性。 EAS作为评估MOSFET器件雪崩能量耐受性的关键指标,不仅为设计人员提供了器件性能的量化参考,也在实际应用中帮助规避潜在的过压损害。 本篇文章从测试原理、温度和电感影响到器件性能分析,全面解析了EAS的各个维度,希望能为大家的设计工作提供更多参考和启...
EAS 测试呢,就是给这些小精灵设置各种障碍和关卡,看看它们能不能顺利通过。 比如说,我们会给半导体加上不同的电压,就好像是给小精灵们不同的动力。然后观察电流的变化情况。如果电流能按照我们预期的那样流动,那就说明这个半导体表现不错;要是电流乱了套,那可能就有点问题啦。 还有哦,EAS 测试还会关注半导体的...
雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值,其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。 定义额定雪崩击穿能量的器件通常也会定义额定EAS。额定雪崩击穿能量与额定UIS具有相似的意义。EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。 L是电感值,iD为电感上流过的电流峰值,其会突然转换为测量器件的漏极电流。电感...
超声波测距芯片的封装形式直接影响其性能、成本和应用场景,超声波测距芯片的工作原理主要基于超声波的发射、传播和接收过程,为了保证超声波测距芯片的性能和可靠性,在生产和应用过程中需要进行一系列测试,, 视频播放量 109、弹幕量 0、点赞数 0、投硬币枚数 0、收藏人数