型号 DMN601DWKQ 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而
制造商:Diodes Incorporated 批号:新批次 描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V DMN2004DWKQ-7详细参数 DMN2004DWKQ-7价格 其他说明 DMN2004DWKQ-7实际价格有优势,国内现货当天可发货。
DIODES/美台 DMN2004DWKQ SOT363 21+价格 ¥ 1.00 ¥ 0.80 ¥ 0.70 起订数 100个起批 500个起批 1000个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 ON/安森美 FDWS9509L_F085 DFN-8 21+ ¥ 0.70 ON/安森美 集成电路、处理器、微控制器 FDWS86068-F085 MOSFET 80V N-Chnl Power ...
UCC21320QDWKQ1 规格参数 是否无铅: 不含铅 是否Rohs认证: 符合 生命周期: Active 包装说明: SOP, SOP14,.4 Reach Compliance Code: compliant Factory Lead Time: 6 weeks 风险等级: 2.35 高边驱动器: YES 输入特性: STANDARD 接口集成电路类型: HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DRIVER JESD-30 代码: R-...
商品型号 DMN601DWKQ-7 商品编号 C5157739 商品封装 SOT-363 包装方式 编带 商品毛重 0.029333克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 数量 2个N沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) 300mA 导通电阻(RDS(on)) 3Ω@5V,0.05A 耗散功率(Pd) 200mW 属...
制造商编号 DMN601DWKQ-7 制造商 Diodes(达尔) 唯样编号 A-DMN601DWKQ-7 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 DMN601DWKQ.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看...
制造商编号 DMN2004DWKQ-7 制造商 Diodes(达尔) 唯样编号 B-DMN2004DWKQ-7 供货 富昌电子 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 DMN2004DWKQ-7.pdf DMN2004DWKQ.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数...
DMN2004DWKQ-7 datasheet 1,453,738Results All LL4148 SK4001WA SMAJ6.0A SMAJ30CA Cart0 Your current location:Home>Data >DMN2004DWKQ-7 DMN2004DWKQ-7 Pn:DMN2004DWKQ-7 More Information Application: Product Category:FET/MOSFET-single
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 UCC21320QDWKQ1、 TI 商品图片 商品参数 品牌: TI 数量: 5000 制造商: Texas Instruments 产品种类: 门驱动器 RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOIC-14 激励器数量: 2 Driver 输出端数量: 2 ...
制造商型号: DMN601DWKQ-7 制造商: DIODES (美台) 产品类别: 射频晶体管 商品描述: MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 立即咨询 询价 提示: 联系在线客服,获得更多DMN601DWKQ-7价格库存等采购信息!