查看东沃电子“ESD-DW05RXLC-S Datasheet”规格书可知: 2)TVS二极管阵列DW05-4R2P-S参数 查看东沃电子“ESD-DW05-4R2P-S Datasheet”规格书可知: 以上是东沃USB 3.0端口浪涌静电保护典型方案,如有特殊需求,欢迎前来探讨。浪涌静电防护方案,找东沃电子,电路保护不迷路!方案中选用到的TVS二极管阵列DW05RXLC-S、...
方案说明:从图中可知,4组高速数据信号均选用东沃电子集成TVS二极管阵列DW05-4R2P-S,集成了4个端口保护,工作电压5V、最大峰值脉冲电流5A、钳位电压15V;0.3pF低结电容,非常适合高速数据传输,保证信号的完整性;采用DFN2.5x1-10L封装,大大缩小了PCB安装空间,直通式走线方式,减少走线弯曲;符合IEC 61000-4-2 (ESD)...
从电路图可知，在LVDS端口差分数据线防护中，东沃电子技术推荐选用ESD二极管DW05-4R2P-S，4通道、工作电压5V、最大峰值脉冲电流5A、低钳位电压15V、低结电容0.3pF，非常适合高速数据传输，保证信号完整性。DFN-10L封装，直通式设计，方便PCB走线，减少走线弯曲，改善信号的完整性和速度。同时，ESD静电保护器件DW05...
从东沃USB 3.0端口浪涌静电保护方案图可知,USB3.0端口的两组差动对(TX and RX)东沃电子技术推荐选用TVS二极管阵列DW05-4R2P-S,阵列式封装、工作电压5V、低钳位电压15V、低结电容0.3pF,非常适合USB3.0高速数据传输特点,保证传输数据的完整性。DW05-4R2P-S满足IEC 61000-4-2 (ESD)±18kV(空气)和±12kV(接触)...
从东沃汽车LVDS接口瞬态浪涌静电保护方案图中,可以清晰地看到,东沃技术选用了两颗TVS/ESD二极管DW05-4R2P-AT-S,为接口提供坚实的浪涌静电防护。DW05-4R2P-AT-S是专门为保护汽车LVDS接口高速差分线路而设计的静电保护器件,具有多重优势。它已通过AEC-Q101认证,配备4个通道,工作电压为5V,最大峰值脉冲电流高达4A,拥...
从东沃汽车LVDS接口瞬态浪涌静电保护方案图中可以看出,东沃技术选用了两颗TVS/ESD二极管DW05-4R2P-AT-S 为接口浪涌静电做防护。DW05-4R2P-AT-S 是专为保护汽车LVDS 接口高速差分线路而设计的静电保护器件。东沃DW05-4R2P-AT-S 通过AEC-Q101认证、4个通道、工作电压5V、最大峰值脉冲电流4A、12V低钳位电压、0.3...
从电路图可知,在LVDS端口差分数据线防护中,东沃电子技术推荐选用ESD二极管DW05-4R2P-S,4通道、工作电压5V、最大峰值脉冲电流5A、低钳位电压15V、低结电容0.3pF,非常适合高速数据传输,保证信号完整性。DFN-10L封装,直通式设计,方便PCB走线,减少走线弯曲,改善信号的完整性和速度。同时,ESD静电保护器件DW05-4R2P-S...
超低结电容TVS二极管阵列DW05-4R2P-S,为高速数据接口提供ESD静电放电保护,是一款理想型通信接口的ESD静电保护器件。品牌东沃DOWO ESD保护二极管DW05-4R2P-S采用小型的DFN2.5X1-10L塑料封装,其结电容值仅为0.3pF,每个器件可保护4条高速数据线,可保护寄生敏感系统,使其不受过压和过流瞬态事件的影响。DW05-4R2P-...
DW05-4R2P-S满足IEC 61000-4-2 (ESD)±18kV(空气)和±12kV(接触)标准,采用DNF2.5x1-10L小型封装,缩小PCB面积降低布局(Layout)复杂度,节省系统成本。更值得一提的是,TVS二极管阵列DW05-4R2P-S采用交错型式的接脚,以提供PCB Layout时可利用穿透式(Feedthrough)的设计。
从东沃USB 3.0端口浪涌静电保护方案图可知,USB3.0端口的两组差动对(TX and RX)东沃电子技术推荐选用TVS二极管阵列DW05-4R2P-S,阵列式封装、工作电压5V、低钳位电压15V、低结电容0.3pF,非常适合USB3.0高速数据传输特点,保证传输数据的完整性。DW05-4R2P-S满足IEC 61000-4-2 (ESD)±18kV(空气)和±12kV(接触)...