东沃技术推荐选用集成式多路ESD静电保护二极管DW05-4R3P-S，导通电压精度高、响应速度快、寄生电容值低、...
从方案图中可知,东沃电子选用四通道小封装、导通电压精度高、响应速度快、钳位电压低、超低结电容TVS二极管阵列/ESD二极管DW05-4R3P-S做防护,保障eSATA接口免受浪涌电流影响的同时,防止eSATA接口遭到ESD静电放电破坏,确保传输数据的稳定性和完整性。同时,在不影响数据传输的前提条件下,能够满足IEC 61000-4-2 Level 4...
DW05-4R3P-S工作电压为 5V,最小击穿电压为6V,DFN-10L封装,满足IEC 61000-4-2 (ESD)±20kV(空气)和±15kV(接触),典型结电容仅为0.2pF,确保信号完整性。DW05-4RVLC-E工作电压为 5V,最小击穿电压为6V,SOT-23-6L封装,典型结电容仅为0.5pF,满足IEC 61000-4-2 (ESD)±20kV(空气)和±12kV(接触)。 H...
从东沃GPIO端口ESD静电放电浪涌保护方案图可知,东沃技术推荐选用集成式多路ESD静电保护二极管DW05-4R3P-S,导通电压精度高、响应速度快、寄生电容值低、钳位电压低,在不影响数据传输的前提下能够满足IEC61000-4-2 Level 4静电放电保护需求,且做到低成本高防护等级。 器件参数 查阅东沃电子“ESD-DW05-4R3P-S Datashee...
16)DFN-6L封装ESD型号:DW05-3RVP-E、DW05-4RP-E; 17)DFN-10L封装ESD型号:DW05-4R2PC-S、DW05-4R2P-S、RCLAMP0524P、DW05-4R3P-S、DW05-6R1N-E、DWCM5412P; 18)DFN0603-D封装ESD型号:DW05DECS-B-E、DW05DS-BA-01-E、DW05DS-B-E、DW05DS-BA-E、DW05DUCS-E、DW05DUCS-B-E; ...