1. 波长:EUV使用的光源波长为13.5纳米,而DUV的波长范围较宽,通常在248纳米(KrF激光)到193纳米(ArF激光)之间。波长更短的EUV光刻技术能够实现更高的分辨率,刻画出更精细的电路图案。 2. 分辨率:由于EUV波长更短,其分辨率远高于DUV,可以达到小于10纳米的节点。DUV技术随着节点尺寸的缩小,其分辨率逐渐接近极限。 3....
在设备成本方面，EUV光刻机的研发、制造、运行和维护成本都远高于DUV光刻机。EUV光刻机需要高功率的激光器、复杂的等离子体生成装置以及多层反射镜系统等高端设备，这些设备的研发和制造成本极高。同时，EUV光刻机的运行和维护也需要专业的技术人员和昂贵的维护费用。因此，EUV光刻机的成本成为其推广和应用的一大障碍...
除了光源的不同，DUV光刻机和EUV光刻机在光路系统上也有着明显的差异。DUV光刻机主要利用光的折射原理来将光线投射到硅片上。其中，浸没式光刻机还会在投影透镜与晶圆之间填入去离子水，这样可以使193nm的光波等效至134nm，进一步提高分辨率。而干法光刻机则不会使用这种技术，其介质为空气。相比之下，EUV光刻机则...
另一方面，EUV凭借其更短的波长，能够直接实现单次曝光下的高精度图案投影，大大简化了生产工艺，提高了生产效率。同时，EUV还能在更小的芯片面积上集成更多的晶体管，从而提升芯片的性能和能效。但是，EUV的引入并非一帆风顺。高昂的设备成本、复杂的技术挑战以及供应链的不确定性，都成为了制约EUV普及的难题。那么，面...
EUV光刻能够实现更高的分辨率，制造出更细的线宽和更小的晶体管尺寸。这使得EUV光刻在制造先进制程芯片（如7纳米及以下制程）时具有不可替代的作用。例如，对于5纳米、3纳米等制程的芯片制造，EUV光刻技术能够提供所需的极高分辨率。而DUV光刻由于分辨率相对较低，在制造更先进制程的芯片时存在一定的限制，但在一些...
一、EUV与DUV：光刻技术的双生子 光刻，简而言之，就是将设计好的电路图案转移到硅片上的过程。它是半导体制造中最精细、最复杂的步骤之一，直接关系到芯片的集成度和性能。EUV与DUV，作为当前主流的两种光刻技术，各自有着独特的优势与局限。EUV：未来的光刻之星？极紫外光刻（EUV），顾名思义，使用的是极短波长...
DUV光刻机主要利用光的折射原理进行成像。在浸没式光刻机中，通过在投影透镜与晶圆之间填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm，从而提高了光刻机的分辨率。这种技术被称为“水浸法”，是目前DUV光刻机实现高分辨率的主要手段之一。而干法光刻机则不使用去离子水，其介质为空气，因此分辨率相对较低。EUV光刻机...
一、DUV光刻技术：多重曝光与掩模版数量的挑战 DUV光刻技术，作为EUV技术出现之前的主流选择，其最大特点是利用波长为193纳米的深紫外光进行曝光。然而，随着芯片特征尺寸不断逼近物理极限，单一的DUV曝光已无法满足日益精细的图案要求。因此，多重曝光技术应运而生，其中较为常见的是SAQP（Self-Aligned Quadruple ...
EUV（极紫外光刻）与DUV（深紫外光刻）是半导体制造中的两大关键技术，它们在多个维度上展现出显著差异。1、波长 EUV采用极短波长（13.5纳米）的紫外光，而DUV则使用较长波长（约193纳米）的深紫外光。2、分辨率和制程能力 EUV因其极短波长，能够实现更高的图案精度，尤其适合制造7纳米及以下工艺节点的先进芯片，...
EUV光刻机与DUV光刻机的区别 一、引言 随着半导体产业的迅猛发展，光刻机作为集成电路制造中的核心设备，其技术水平和性能直接影响着芯片制造的精度和效率。EUV（极紫外）光刻机和DUV（深紫外）光刻机是当前半导体产业中两种主流的光刻技术。本文将对EUV光刻机和DUV光刻机进行全面而深入的对比，分析两者在原理、...