GVF预烧结银焊片工艺（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）不仅能显著提高芯片连接的导电性、导热性，以及芯片连接的可靠性，并对整个模块的性能进行优化，还能帮助客户提高生产率，降低芯片的破损率，加速新一代电力电子模块的上市时间。GVF预烧结银焊片工艺（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding...
综上所述，DTS技术为铜绑定线的应用带来了显著优势。因此，我们经常看到DTS与TCB结合使用，以提升模块的结温和可靠性，从而满足第三代半导体如SiC的需求。未来，随着DTS技术的进一步发展，有望通过超声焊接和烧结等方法替代铜线键合，进一步提升模块性能。关于我们 萃锦半导体汇聚了众多国内外知名半导体大厂的专家，拥有20...
可见,DTS是为了更好地使用铜绑定线,所有我们经常看到的组合是DTS+TCB,使得模块能够运行在更高的结温和具有更高的可靠性,适用于SiC等第三代半导体的需求。DTS技术的推出其实和丹佛斯DBB技术有着不小的渊源,有时候推陈出新更多的是优化和创新的结合! END
新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封装,以应用于电动车逆变器SiC导线架技术为例,导线架Copper Clip和SiC芯片连接采用烧结银AS9385连接技术, GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding))能够将电力电子模块的使用寿命延长50多倍,并确保芯片的载流容量提高50%以上。 使用了GVF预烧结银焊片使器件结温可...
善仁新材的GVF9700无压预烧结焊盘和GVF9800有压预烧结焊盘,为客户带来多重便利,包括无需印刷、点胶或干燥,GVF预烧结银焊片工艺(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)可以将铜键合线和烧结工艺很好结合在一起,同时具有较高的灵活性,可以同时让多个键合线连接在预烧结焊盘上来进行顶部连接。GVF预烧结银焊...
单管封装中引入扩散焊“Diffusion Soldering”,省了芯片与lead frame之间的焊料,优化了器件热阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET单管为例,基于GVF预烧结银焊片,相比当前焊接版的TO247-3/4L,可降低约25%的稳态热阻Rth(j-c),和约45%的瞬态热阻。 GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)的...
上海DTSDTS+TCB预烧结,DieTopSystem烧结银焊片价格/报价,善仁新材的GVF9700无压预烧结焊盘和GVF9800有压预烧结焊盘,为客户带来多重便利,包括无需印刷、点胶或干燥,GVF预烧结银焊片工艺(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)可以将铜键合线和烧结工艺很好结合
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)不仅能显著提高芯片连接的导电性、导热性,以及芯片连接的可靠性,并对整个模块的性能进行优化,还能帮助客户提高生产率,降低芯片的破损率,加速新一代电力电子模块的上市时间。在能源效率新时代,SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关...
DTS射频芯片焊片广东DTS德国DTS替代,DTS烧结银焊片,GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)和金,银,铜表面剪切
SHAREX善仁新材DTS+TCB预烧结银焊盘工艺提高功率器件通流能力和功率循环能力