GVF预烧结银焊片工艺（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）不仅能显著提高芯片连接的导电性、导热性，以及芯片连接的可靠性，并对整个模块的性能进行优化，还能帮助客户提高生产率，降低芯片的破损率，加速新一代电力电子模块的上市时间。GVF预烧结银焊片工艺（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding...
综上所述，DTS技术为铜绑定线的应用带来了显著优势。因此，我们经常看到DTS与TCB结合使用，以提升模块的结温和可靠性，从而满足第三代半导体如SiC的需求。未来，随着DTS技术的进一步发展，有望通过超声焊接和烧结等方法替代铜线键合，进一步提升模块性能。关于我们 萃锦半导体汇聚了众多国内外知名半导体大厂的专家，拥有20...
可见,DTS是为了更好地使用铜绑定线,所有我们经常看到的组合是DTS+TCB,使得模块能够运行在更高的结温和具有更高的可靠性,适用于SiC等第三代半导体的需求。DTS技术的推出其实和丹佛斯DBB技术有着不小的渊源,有时候推陈出新更多的是优化和创新的结合! END
善仁新材的GVF9700无压预烧结焊盘和GVF9800有压预烧结焊盘,为客户带来多重便利,包括无需印刷、点胶或干燥,GVF预烧结银焊片工艺(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)可以将铜键合线和烧结工艺很好结合在一起,同时具有较高的灵活性,可以同时让多个键合线连接在预烧结焊盘上来进行顶部连接。GVF预烧结银焊...
四川DTS德国DTS替代DT,DieTopSystem烧结银焊片价格/报价,DTS+TCB预烧结银焊盘工艺提高功率器件通流能力和功率循环能力在新能源汽车、5G通讯、光伏储能等终端应用的发展下,SiC/GaN等第三代半导体材料水涨船高,成为时下火爆的发展领域之一。使用了GVF预烧结银焊片使器件
单管封装中引入扩散焊“Diffusion Soldering”,省了芯片与lead frame之间的焊料,优化了器件热阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET单管为例,基于GVF预烧结银焊片,相比当前焊接版的TO247-3/4L,可降低约25%的稳态热阻Rth(j-c),和约45%的瞬态热阻。 GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)的...
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