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型号 DTA114EE 封装/规格 DTA114EE 晶体管类型 1个PNP-预偏置 集电极电流 100mA 集射极击穿电压 50V 功率 150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 30 特征频率 250 工作温度 -55～+150 ℃ 包装 编带 最小包装量 3000 数量 3000 封装 SOT-523 批号 新年份 品牌 长电 PDF资料 DTA114EE....
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型号:DTA114EE 标记/丝印/代码/打字:14 厂家:ROHM 封装:SOT-523/EMT3 批号:05+ 库存数量:3000 所属分类:三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) 带阻尼PNPPNP Bipolar Digital Transistor (BRT) 技术文档PDF:在线阅读 在线购买 (Search Stock)Send order to our E_mail: ...
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