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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 VISHAY、 SI2342DS、 T1、 GE3 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 批号: 23+ 数量: 2000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶...
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求购2025冬 SI2342DS 全新VISHAY MOS管 8V SI2342 SOT-23-3 采购详情 询价单编号:ZGC5966***711 询价单有效期:至2025***入驻工厂可见 订单备注:***入驻工厂可见相似工厂 其他场效应管类精选货源 深圳市烜芯微科技有限公司 TVS二极管N沟道 深圳 100%响应率 409款双向管 集成电路热度榜 第13名 深圳市协...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 Si2342DS、 WINSOK、 SOT-23 商品图片 商品参数 品牌: WINSOK 封装: SOT-23 批号: 2020+ 数量: 21110100 FET类型: 单N沟道 漏源电压(Vdss): 8 漏极电流(Id): 6 漏源导通电阻(RDS On): 0.02 栅源电压(Vgs)...
全新SI2342DS Si2342DS SI2341DS Si2338DS SI2337DS 已售少于100 ￥1.4点击查看更多配送: 上海至 阳泉城区 快递: 120.00承诺24小时内发货 保障:7天无理由退货 破损包退查看更多 用户评价 参数信息 图文详情 本店推荐 用户评价 参数信息 品牌 HL 图文详情 本店推荐 全新GS1010FL GS1009FL GS1008HE GS1008FL...
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SI2342DS-T1-GE3由Vishay设计生产。SI2342DS-T1-GE3封装/规格:配置/单路:阈值电压/800mV@250µA:晶体管类型/N沟道:功率耗散/1.3W:额定功率/2.5W:充电电量/15.8nC:反向传输电容Crss/200pF:栅极源极击穿电压/±5V:击穿电压/8V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/3Pin:高...
Ordering Information: Si2342DS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted) A Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage VDS 8 5 V VGS 6e 6e 6e, b, c 5.8b, c...
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