部件名DS1230AB-100IND 下载DS1230AB-100IND下载 文件大小213.86 Kbytes 页12 Pages 制造商DALLAS [Dallas Semiconductor] 网页https://www.maximintegrated.com/en.html 标志 功能描述256kNonvolatileSRAM DESCRIPTION The DS1230 256k Nonvolatile SRAMs are 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organiz...
DS1230AB-100 数据表 (HTML) - Dallas SemiconductorDS1230AB-100 产品详情DESCRIPTIONThe DS1230 256k Nonvolatile SRAMs are 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which ...
1 of 12111899FEATURES10 years minimum data retention in theabsence of external powerData is automatically protected during powerlossReplaces 32k x 8 volatile static RAM,EEPROM or Flash memoryUnlimited write cycles 数据表 search, datasheets, 电子元件和半
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格式- 存储器RAM 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM) 存储容量256K (32K x 8) 速度100ns 接口并联 电源电压4.75 V ~ 5.25 V 工作温度0°C ~ 70°C 封装/外壳28-DIP 模块(0.600",15.24mm) 供应商设备封装28-EDIP 包装管件 其它名称DS1230AB100 ....
DS1230AB-100参数信息 暂无 其它信息 深圳市博浩通科技有限公司是一家有着12年电子元器件销售经验的公司,建立了遍布全球的供应商网络,代理品牌多达20余个,分销品牌多达60余个,可供应100多万种现货型号和1000多万种订货型号。 询价请联系朱小姐 电话:15989349634 ...