DRAM 调节内部输入输出阻抗值,将分压后的电压与 RZQ 上电压进行比较,如果二者相等,那么 DRAM 就调节出了一个 RZQ 阻值若干份之一的内部电阻阻值。 举个例子,信号完整性仿真得到最佳的 DRAM 输出阻抗值为 50 欧,RZQ 为 240 欧,因此 DRAM 支持 34 欧(RZQ/7)和 48 欧(RZQ/5)两种配置,选取更接近的 RZQ/5...
DRAM共有两种ZQ Calibration命令，ZQCS和ZQCL。ZQCS用于正常工作时的周期性ZQ校正，以应对环境温度和电压的变化，所需校正时间相对ZQCL较短。ZQCL命令用于上电初始化时的ZQ校正，需要较长的时间以找到从MRx设置的ODT与Ron值。关于时序参数，ZQCL相关参数如图所示，在Reset之后的第一个ZQCL命令发送后，...
CIC中国集成电路ChinalntegratedCircult设计http://www.cicmag.com(总第 230 期) 2018·7·一种应用于 DDR3 DRAM 的 ZQ 校准方法王小光,王嵩,谈杰,李进(西安紫光国芯半导体有限公司,陕西 西安,710075)摘要:在当今的 DRAM存储器技术中,ZQ管脚的作用是为了能够给高速的接口电路提供更为准确的阻抗。本文引入了一...
一种应用于DDR3 DRAM的ZQ校准方法
本发明公开了一种多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准电路和方法,该方法包括:在对DRAM芯片上电初始化时,使用交叠的方法来对DRAM芯片内部多个颗粒进行依次校准;在芯片正常工作期间,采用多颗粒交替进行校准,使得每个颗粒均能够被校准.该方法即保证了芯片内各颗粒内部电阻在上电后拥有一次完整的校准机会,具备了比较准确的电阻值,...
据《日本经济新闻》日前最新报道,由于受到终端产品需求疲弱以及中国买家扩大采用国产DRAM内存的双重影响,目前DRAM内存价格正在加速下跌,并创下了近两年来最大跌幅。报道指出,2025年1月,指标性产品DDR4 8GB的批发价(大宗交易价格)约为每个1.75美元,容量较小的4GB产品
总结来说,ROM是非易失性存储器,用于存储不变的数据和程序;RAM是计算机的主内存,用于临时存储和快速处理数据;DRAM是RAM的一种,使用电容存储数据,需要刷新;SRAM是另一种RAM,使用触发器存储数据,速度快但成本高,常用于高速缓存。这些存储器在计算机系统中各自扮演着重要的...
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1.一种DRAMDDRZQ管脚使用状态的检测电路,包括PMOS管组、比较器、参考电压提供电路以及ZQ管脚判断控制模块,所述参考电压提供电路产生参考电压VDD/2,其特征在于:PMOS管组中最小尺寸的PMOS管分成了N个,使得PMOS管组的阻值大于ZQ管脚提供参考电阻RZQ的8-12倍,所述ZQ管脚判断控制模块包括状态判断模块, 所述PMOS管组的一...
2024-05-09 05:16:1300:150来自北京 金融界 金融界官方