型号DMTH4007SPDQ 名称40V +175°C 双 N 沟道增强型 MOSFET 产地 台湾 封装PowerDI® 5060-8 产品参数 AEC Qualified Yes Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive Polarity N+N ESD Diodes (Y|N) No |VDS| (V) 40 V
DMTH6016LPDQ-13 价格参考￥ 2.66028 。 DIODES DMTH6016LPDQ-13 封装/规格: PowerTDFN8, MOSFET - 阵列 60V 9.2A(Ta),33.2A(Tc) 2.5W(Ta),37.5W(Tc) 表面贴装型 PowerDI5060-8。你可以下载 DMTH6016LPDQ-13 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的...
DMTH4007SPDQ 数据表 (HTML) - Diodes Incorporated类似零件编号 - DMTH4007SPDQ 制造商 部件名 数据表 功能描述 Diodes Incorporated DMTH4007SPD 415Kb / 7P 40V 175C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DMTH4007SPD-13 415Kb / 7P 40V 175C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET More ...
爱企查为您提供深圳市航天军工半导体有限公司DMTH10H017LPDQ-13 电子元器件 DIODES 封装21+ 批次DFN等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多XILINX军工级、ALTERA、Infineon、ADI、NUVOTON、TI NS信息
Low Input Capacitance Fast Switching Speed Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The DMTH10H017LPDQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manuf...
制造商编号 DMTH6016LPDQ-13 制造商 Diodes(达尔) 唯样编号 G-DMTH6016LPDQ-13 供货 Arrow 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 DMTH6016LPDQ-13.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些...
价格 ¥ 5.78 起订数 5000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 DMTH10H017LPDQ-13、 达尔DIODES 商品图片 商品参数 品牌: 达尔DIODES 批号: 21+ 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 90C...
唯样编号 A-DMTH4007SPDQ-13 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 DMTH4007SPDQ-13.pdf DMTH4007SPDQ.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代...
价格 ¥ 0.11 起订数 1个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 DMTH10H017LPDQ-13、 达尔DIODES、 SOP 商品图片 商品参数 品牌: 达尔DIODES 封装: SOP 批号: 23+ 数量: 63000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C ...
DMTH4014LPDQ-13由DIODES(美台)设计生产,立创商城现货销售。DMTH4014LPDQ-13价格参考￥1.72。DIODES(美台) DMTH4014LPDQ-13参数名称:类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):43.6A;导通电阻(RDS(on)):15mΩ@10V,25A;耗散功率(Pd):2.41W;阈值电压(Vg