DMTH10H017LPDQ适用于需要特定变化控制的汽车应用;这部分是AEC-Q101合格,PPAP能力,并在IATF 16949认证的设施中生产。 DMTH10H017LPDQ数据手册: DMTH10H017LPDQ.pdf DMTH10H017LPDQ引脚功能、电路图: 按首字母检索 A B C D E F G H I J K
型号 DMTH10H017LPDQ-13 技术参数 品牌: DIODES 型号: DMTH10H017LPDQ-13 数量: 5000 制造商: Diodes Incorporated 产品种类: MOSFET 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerDI5060-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 2 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 59 A Rds On-漏源导通...
Low Input Capacitance Fast Switching Speed Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The DMTH10H017LPDQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manuf...
部件名DMTH4007SPDQ 下载DMTH4007SPDQ下载 文件大小493.87 Kbytes 页8 Pages 制造商DIODES [Diodes Incorporated] 网页http://www.diodes.com 标志 功能描述40V175CDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET 类似零件编号 - DMTH4007SPDQ 制造商部件名数据表功能描述 ...
DMTH6016LPDQ产品简介DIODES的DMTH6016LPDQ该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准,由PPAP支持,非常适合用于:发动机管理系统、车身控制电子设备和DC-DC转换器。产品规格品牌DIODES型号DMTH6016LPDQ名称60V175°C双N沟道增强型MOSFET产地台湾封装PowerDI
DMTH6016LPDQ-13由DIODES(美台)设计生产,立创商城现货销售。DMTH6016LPDQ-13价格参考￥2.25。DIODES(美台) DMTH6016LPDQ-13参数名称:类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):33.2A;导通电阻(RDS(on)):19mΩ@10V,33.2A;耗散功率(Pd):37.5W;阈值电压(
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DMTH6016LPDQ-13 数据手册 ECAD模型: 制造商: Diodes Incorporated 标准包装: Product Variant Information section 2500/卷盘 Date Code: 2336 Product Specification Section Diodes Incorporated DMTH6016LPDQ-13 - 产品规格 发货信息: 该产品不能运往某些国家/地区 .查看国家列表。 ECCN: EAR99 产品...
唯样编号 C-DMTH6016LPDQ-13 供货 海外代购M 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 DMTH6016LPDQ-13.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了...
DMTH6016LPDQ-13由DIODES设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过digikeyarrow等渠道进行代购。 DMTH6016LPDQ-13 价格参考￥ 14.62016 。 DIODES DMTH6016LPDQ-13 封装/规格: PowerTDFN8, MOSFET - 阵列 60V 9.2A(Ta),33.2A(Tc) 2.5W(Ta),37.5W(Tc) 表面贴装型 PowerDI5060-8。你可以下载 DMTH6016L...