唯样商城为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMTH32M5LPSQ-13 元器件,主要参数为:N-Channel 3.2W(Ta),100W(Tc) ±16V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 30V 170A(Tc) 车规,DMTH32M5LPSQ-13库存充足,购买享优惠!
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DMTH32M5LPSQ-13 Diodes Incorporated 数据手册 通用MOSFET N-Channel 3.2W(Ta),100W(Tc) ±16V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 30V 170A(Tc) 车规 ￥4.577 2,500 当前型号 DMTH32M5LPS-13 Diodes Incorporated 数据手册 通用MOSFET N-Channel 3.2W(Ta),100W(Tc) ±16V PowerDI5060-8 -55℃...
DMTH32M5LPSQ-13.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),43W(Tc) - 技术 MOSFET(金属氧化物) - 漏源极电压Vds - 30V 产品特性 - 车规 Pd-功率耗散(Max) - 3.2W(Ta),100W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.2mΩ@30A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)...
DMTH32M5LPSQ-13.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc) - 技术 MOSFET(金属氧化物) - 漏源极电压Vds - 30V 产品特性 - 车规 Pd-功率耗散(Max) - 3.2W(Ta),100W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.2mΩ@30A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)...
DMTH32M5LPSQ-13.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),43W(Tc) - 技术 MOSFET(金属氧化物) - 漏源极电压Vds - 30V 产品特性 - 车规 Pd-功率耗散(Max) - 3.2W(Ta),100W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.2mΩ@30A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)...
DMTH32M5LPSQ-13.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc) - 技术 MOSFET(金属氧化物) - 漏源极电压Vds - 30V 产品特性 - 车规 Pd-功率耗散(Max) - 3.2W(Ta),100W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.2mΩ@30A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)...