DMP2006UFGQ-7 商品编号 C5711725 商品封装 PowerDI3333-8 包装方式 编带 商品毛重 0.087克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)17.5A;40A 导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@4.5V,15A ...
唯样商城为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP2006UFGQ-7 元器件,主要参数为:P-Channel 2.3W(Ta),41W(Tc) ±10V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 20V 17.5A(Ta),40A(Tc) 车规,DMP2006UFGQ-7库存充足,购买享优惠!
DMP2006UFGQ-7 查Datasheet、查价格、查替代料 搜索 一键BOM配单 厂商: BCDSEMI(美台) 封装: VDFN8 描述: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333 数据手册: 下载DMP2006UFGQ-7.pdf 立即购买 数据手册 价格&库存 DMP2006UFGQ-7 数据手册 DMP2006UFGQ 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Product...
DMP2006UFGQ-7- 南皇电子长期提供竞争力的价格、订货及技术支持,Diodes代理稳定货源。 图片信息 基本技术信息: 电子器件型号:DMP2006UFGQ-7 原始制造厂商:Diodes,美台半导体 技术标准参数:MOSFET P-CH 20V PWRDI3333 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 ...
唯样商城为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP2006UFGQ-7 元器件,主要参数为:P-Channel 2.3W(Ta),41W(Tc) ±10V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 20V 17.5A(Ta),40A(Tc) 车规,DMP2006UFGQ-7库存充足,购买享优惠!