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DMN65D8LDWQ-7 532Kb/6PDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET February 2015 Rev. 1 - 2 DMN65D8LDW 535Kb/6PDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET More results Diodes Incorporated是一家公开交易的公司,设计,制造和提供各种离散,模拟和混合信号半导体以及完整的电力解决方案。
Part #: DMN65D8LDW-7. Download. File Size: 535Kbytes. Page: 6 Pages. Description: Dual N-Channel MOSFET. Manufacturer: Diodes Incorporated.
DMN65D8LDW-7 Descripción MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 Plazo estándar del fabricante 8 semanas Referencia del cliente Descripción detallada MOSFET - Arreglos 60V 180mA 300mW Montaje en superficie SOT-363 Hoja de datos Hoja de datos
DMN65D8LDW-7 产品概述 一、基本信息DMN65D8LDW-7 是一款双 N 沟道 MOSFET,其在不同的电子应用中表现出色,尤其是在开关电源、马达驱动和信号放大等领域。其最重要的参数包括漏源电压 60V、连续漏极电流 180mA,以及最大功率耗散能力为 300mW,使其适应多种工作条件。
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型号:DMN65D8LDW-7 数量:22115 厂商:Diodes Incorporated 批号:21+ 封装:原装 只做原装正品 假一罚十 Diodes Incorporated/美台 购买、咨询产品请填写询价信息 询价型号*数量*批号封装品牌其它要求 请确认联系方式,3分钟内即可给您回复 *姓名: *电话: