DMN63D8LW-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN63D8LW-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN63D8LW-13DIDKR-ND - Digi-Reel® Fabricante Diodes Incorporated Número de pieza del fabricante DMN63D8LW-13 Descripción MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 Plazo estándar del fabricante 20 sem...
美国06-8-RMB ¥税---1.410询价 Verical 2 美国 594 1 353 RMB ¥ 税 - - 0.611 0.528 0.528 购买 DMN63D8LW-13 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 耗散功率 0.42 W 输入电容 23.2 pF 漏源极电压(Vds) 30 V 上升时间 3.9...
型号DMN63D8LW-13DMN63D8LW-7 唯样编号B-DMN63D8LW-13A36-DMN63D8LW-7 制造商Diodes IncorporatedDiodes Incorporated 供应商富昌电子唯样自营 分类小信号MOSFET小信号MOSFET 描述MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 数据表 DMN63D8LW.pdf DMN63D8LW-7.pdf ...
电子管-场效应管-DMN63D8LW-13-DIODES/美台-SOT-323-N/A.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结...
描述 N沟道,30V,380mA,13Ω@2.5V 品牌名称DIODES(美台) 商品型号 DMN63D8LW-13 商品编号 C212323 商品封装 SOT-323 包装方式 编带 商品毛重 0.03克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型- 漏源电压(Vdss)30V ...
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DMN63D8LW-13 Application Note Diodes 6 Pages, 456 KB DMN63D8 Datasheet PDF DMN63D8LDW-7 Datasheet PDF Diodes Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6Pin SOT-363 T/R DMN63D8LV-7 Datasheet PDF Diodes Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive 6Pin SOT-563 T/R ...
系列 DMN63 晶体管类型 1 N-Channel 商标 Diodes Incorporated 正向跨导 - 最小值 80 mS 下降时间 16.7 ns 产品类型 MOSFET 上升时间 3.9 ns 工厂包装数量 10000 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 11.4 ns 典型接通延迟时间 2.3 ns 单位重量 5 mg 可售卖地 全国 型号 DMN63D8LW-13 产品详情 为您推荐 查...
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DMN63D8LW-13现货_参数_价格_Diodes Incorporated DMN63D8LW-13简述 制造商:Diodes Incorporated 批号:新批次 描述:MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A DMN63D8LW-13详细参数 DMN63D8LW-13价格 其他说明 价格有优势,DMN63D8LW-13国内现货当天可发货。