dmn6068se-13产品参数 品牌 美台 包装 卷 零件状态 在售 应用领域 工业,汽车,医疗,民用 输入电压 3v~6.5v 输出数 2 电压-输出 1.045V ~ 1.155V,1.71V ~ 1.89V 工作温度 90℃ 安装类型 表面贴装型 供应商器件封装 原装原包 最小包装量 10 数量 1000 批号 2023+ 封装 原封原包...
DMN6068SE-13SOT-223-3 场效应管(MOSFET) DIODES(美台)全新原装 深圳市福田区卓立微电子商行1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.82成交50PCS 全新DMN6068SE-13封装 SOT-223-3 N沟道场效应管(MOSFET) 现货 深圳市安芯易科技有限公司3年 ...
部件名DMN6068SE-13 下载DMN6068SE-13下载 文件大小642.84 Kbytes 页9 Pages 制造商DIODES [Diodes Incorporated] 网页http://www.diodes.com 标志 功能描述60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET 类似零件编号 - DMN6068SE-13 制造商部件名数据表功能描述
型号: DMN6068SE-13 批号: 17+ 封装: SOT223 数量: 2975 QQ: 3192876031 制造商: Diodes Incorporated 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-223-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 5.6 A Rds On-漏源...
品牌名称DIODES(美台) 商品型号 DMN6068SE-13 商品编号 C209902 商品封装 SOT-223-3 包装方式 编带 商品毛重 0.232克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)5.6A ...
DMN6068SE-13由DIODES设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过digikeyrschip1stop等渠道进行代购。 DMN6068SE-13 价格参考￥ 1.0043 。 DIODES DMN6068SE-13 封装/规格: SOT-223-3, SOT223 2W。你可以下载 DMN6068SE-13 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路...
DMN6068SE-13 1,010Kb / 6P N-Channel 60-V (D-S) MOSFET More results Similar Description - DMN6068SE-13 Manufacturer Part # Datasheet Description Zetex Semiconductors ZXMN6A07F 1Mb / 7P 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET ZXMN6A08E6 850Kb / 7P 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET...
DMN6068SE-13 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 针脚数 4 漏源极电阻 0.068 Ω 极性 N-CH 耗散功率 3.7 W 阈值电压 3 V 漏源极电压(Vds) 60 V 连续漏极电流(Ids) 5.6A 上升时间 10.8 ns 输入电容(Ciss) 502pF @30V(Vds) ...
11.9 ns DMN6068SE-13 相关特供产品 料号描述操作 DMN601DMK-7MOSFET, DIODES, SOT-26-6对比 DMN6040SVT-7MOSFET, TSOT26对比 DMN601WK-7MOSFET, SOT-323-3对比 DMN6040SSD-13MOSFET, SO-8对比 DMN6040SK3TO-252对比 DMN6040SVTSOT163对比 国际认证...
型号:DMN6068SE-13 品牌:DIODESZETEX 封装:SOT-223-3 描述:MOSFET,N沟道,60V,5.6A,SOT223 国内价格 1000+2.82710 2000+2.74204 库存:13450 去购买 型号:DMN6068SE-13 品牌:DIODES-INC. 封装:SOT-223-3 描述:DIODES INC. - DMN6068SE-13 - Power MOSFET, N Channel, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-...