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DMN10H700S-7 通用MOSFET N-Channel 400mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 100V 700mA(Ta) 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号DMN10H700S-7 制造商Diodes(达尔) 唯样编号H-DMN10H700S-7 供货Verical代购...
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 4.6 nC @ 10 V 封装/外壳 SOT-23-3 工作温度 -55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds 100V 连续漏极电流Id 700mA(Ta) 驱动电压 6V,10V 查看相似商品 为您推荐如下商品: A36-DMN10H700S-7 严选库存:4,744 库存...
立创商城提供DIODES(美台)的场效应管(MOSFET)DMN10H700S-7中文资料,PDF数据手册,引脚图,封装规格,价格行情和库存,采购DMN10H700S-7上立创商城
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DMN10H700S-7由DIODES(美台)设计生产,立创商城现货销售。DMN10H700S-7价格参考¥0.6115。DIODES(美台) DMN10H700S-7参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):700mA;导通电阻(RDS(on)):700mΩ@10V,0.7A;耗散功率(Pd):400mW;阈值电压(Vgs(th
系列 DMN2400 晶体管类型 13.74 ns 典型关闭延迟时间 4.06 ns 典型接通延迟时间 6 mg 可售卖地 全国 型号 DMN2400UV-7 PDF资料 电子管-场效应管-DMN2400UV-7-DIODES/美台.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或...
FET 功能 - 功率耗散(最大值) 400mW(Ta) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 供应商器件封装 SOT-23 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 商品其它信息 优势价格,DMN10H700S-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。推荐...
DMN10H700S-7 -(Diodes Incorporated)- 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商型号:DMN10H700S-7 制造商: Diodes Incorporated 产品类别:Active 商品描述:MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23 详细说明:- 定价(未税) 数量单价总价 12.82.8 库存数量:13873 可立即发货发货时间:国内(1~2天)最小起订:1 ...
DMN10H700S-7参数信息 暂无 其它信息 深圳市博浩通科技有限公司是一家有着12年电子元器件销售经验的公司,建立了遍布全球的供应商网络,代理品牌多达20余个,分销品牌多达60余个,可供应100多万种现货型号和1000多万种订货型号。 询价请联系朱小姐 电话:15989349634 ...