DMG1016UDW-7DIODES美台 SOT363 全新原装正品现货 深圳市智恩普半导体有限公司9年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.30 DDTC143ZE-7-F DDZ9711T-7DMG1016UDW-7DMG1016UDW-7 深圳市联华电科技有限公司8年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ...
品牌名称DIODES(美台) 商品型号 DMG1016UDW-7 商品编号 C211433 商品封装 SOT-363 包装方式 编带 商品毛重 0.031克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道+1个P沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)1.07A;845mA ...
DMG1016UDW-7和DMG1016V-7的区别:DMG1016UDW-7 SOT-363 N-Channel 20V 1.066A 0.845A;DMG1016V-7 SOT-563 N-Channel 20V 0.87A 0.64A。DMG1016UDW-7和DMG1016V-7哪个好:DMG1016UDW-7 DIODES INC. DMG1016UDW-7 双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N和P, 845 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号DMG1016UDW-7-VB 商品编号C20755026 商品封装SC-70-6 包装方式 编带 商品毛重 0.068克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道+1个P沟道 漏源电压(Vdss) 20V 属性参数值 连续漏极电流(Id) 3.28A;2.8A 导通电...
类似零件编号 - DMG1016UDW-7 制造商部件名数据表功能描述 Diodes IncorporatedDMG1016UDW-7 270Kb/9PCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET More results Diodes Incorporated是一家公开交易的公司,设计,制造和提供各种离散,模拟和混合信号半导体以及完整的电力解决方案。
型号 DMG1016UDW-7 技术参数 品牌: DIODES 型号: DMG1016UDW-7 封装: SOT-363 批号: 22+/23+ 数量: 20000 制造商: Diodes Incorporated 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-363-6 通道数量: 2 Channel 晶体管极性: N-Channel, P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id...
DMG1016UDW-7-DIODES INC.-双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N和P, 845 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1 V. 现在就预定 DMG1016UDW-7! 质优价廉, 发货迅速的 DIODES INC. 现货产品。
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数据表 DMG1016UDW-7.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 功率 3/10W - Rds On(Max)@Id,Vgs 400 毫欧 @ 750mA,4.5V 450mΩ@600mA,4.5V 上升时间 - 7.4ns,8.1ns 漏源极电压Vds 30V,25V 20V Pd-功率耗散(Max) 300mW 330mW Qg-栅极电荷 - 736.6nC,622.4pC 栅极电压Vgs - ±6V ...
数据表 DMG1016UDW-7.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 功率 3/10W - Rds On(Max)@Id,Vgs 400 毫欧 @ 750mA,4.5V 450mΩ@600mA,4.5V 上升时间 - 7.4ns,8.1ns 漏源极电压Vds 30V,25V 20V Pd-功率耗散(Max) 300mW 330mW Qg-栅极电荷 - 736.6nC,622.4pC 栅极电压Vgs - ±6V ...