•DLTS利用材料中的缺陷能级来探测电荷状态的变化,并基于这些变化来分析材料的性能。 3. •深能级缺陷是在材料的禁带中存在的电子能级。这些缺陷位于材料的带隙能级中,远离导带和价带。 4. DLTS •DLTS使用高频偏压脉冲来激发材料中的缺陷能级,并测量由这些能级引起的电荷状态变化。 5. DLTS 1.制备样品:制备...
rt 用于mis结构界面态研究,已从前人研究中得知是能带中态密度分布是符合高斯分布的那种。 small pulse DLTS,关注的是很小能量范围内的陷阱,文章中说可以直接得到界面态密度,不知其具体原理和计算方法~~ 希望有做过这方面分析的虫子解释一下,如何得到界面态密度在不同能量位置的分布,以及俘获截面随能量的变化(包括之...