文介绍了脉冲等离子体技术在干法刻蚀领域的应用背景,从半导体制程工艺需求层面讲述了纳米量级的刻蚀制程对等离子体参数的需求。重点对脉冲等离子体工作机制、脉冲匹配技术和脉冲等离子体诊断技术研究进展进行了论述。关键词:干法刻蚀,等离子体损伤,脉冲等离子体1. 引言伴随着摩尔定律的发展,半导体芯片的晶圆尺寸越来大,,刻蚀...