种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 导电方式 增强型 材料 N-FET硅N沟道 可售卖地 全国 用途 NF/音频(低频) 型号 NTMFS4935NT1G 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户...
10、正常工作状态下,PUMP N-MOSFET 驱动可选 11、工作温度:-40°C～85°C 12、VI 采样和 VM 电流采样可选 13、封装:DFN6(1616) 应用: 物联网设备 可穿戴设备 电池包 移动设备 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同...
作为MOS厂商出具的规格书,不可能把千差万别的散热条件都都考虑进去。所以在MOS的规格书上面会给出最好和最差散热条件下的热阻,这样就可以让客户清楚的指导温升的范围和极限在哪里。 这里就要引入两个概念就是RθJC和RθJA。 RθJC是芯片到芯片背面的散热片的热阻。 RθJA 是MOS焊接在一块1平方英寸的1盎司PCB...
PL0807N10是宝砾微推出的漏源电压100V的N沟道功率MOSFET。产品采用DFN5* 6mm封装,经过100%的UIS测试,100%的Rg测试,安全性能较好。产品适用于DC-DC转换、SMPS中的同步整流和电机控制等。最大额定值参数,25℃下的连续漏*电流74A。脉冲漏*电流高达260A。单脉冲雪崩能量为245mJ。耗散功率为83W。工作温度和存储温度...
Field Effect Transistor Hy4008W to-247 80V200A N-Channel Enhancement Mode Mosfet US$0.75 10 Pieces (MOQ) Transistors Pmpb19r0upex Mosfet MOS Discretes Dfn2020m-6-8 110 Mohms 11A US$0.002-0.021 1,000 Pieces (MOQ) -60V -45A Transistor Nce60p45ak Nce P-C...
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 AlphaMOS FET 类型 2 N 沟道(双)共漏 FET 功能 标准 功率- 最大值 2.5W 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 6-XDFN 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 型号 AOC3862 美國萬國半導體有限公司(AOS),於2000年在美國加州成立總部,其卓越...
LSD65R380GF 电机驱动 BMS 电源同步整流 MOSFET场效应管 龙腾半导体 ￥2.48 查看详情 JA5088SL 封装SOP8 单节二合一锂电池保护芯片 ACIC/欧拉 ￥0.40 查看详情 RB3701A 封装DFN1*1 1.4μA 60mΩ 二合一锂电池保护芯片 RSEMI/晶准 ￥0.21 查看详情 KS4630HA N+P沟道 负载开关 电源管理 SOP-8 MOS场效应管...
Super Trench MOSFET 优势现货供应型号如下:NCEP30PT16G DFN5X6-8L -30V 160A 150W 20V 2.3mΩ 3.3mΩ NCEP40PT15G DFN5X6-8L -40V 150A 150W 20V 2.8mΩ 3.8mΩ NCEP40P80G DFN5X6-8L -40V 80A 75W 20V 5.60mΩ 7.60mΩ NCEP25T18GU DFN5X6-8L 25V 180A 88W 20V 0.72mΩ 1.15m...
矽源特ChipSourceTek-CST30P06F,作为一款高性能的P沟道快速切换Mosfet,凭借其卓越的技术规格和出色的性能,在当前的半导体市场中占据了重要的地位。本文将对矽源特ChipSourceTek-CST30P06F进行全面的介绍,包括其技术特性、应用领域、封装信息以及市场优势等方面,旨在为相关领域的专业人士和爱好者提供有价值的参考。
LTS1010FJ场效应管N沟道增强型功率MOSFET DFN5*6-8封装 LTS1010FJ场效应管N沟道增强型功率MOSFET DFN5*6-8封装 领泰半导体中低压MOS专供 PD快充 无线充 ，锂电，电子烟，IPC等领域