AON2409-VB是一款单P沟道功率MOSFET,采用DFN6(2X2)封装。它具备低电阻、高导通电流和快速开关特性,适合用于低压和高电流的应用场合。 ### AON2409-VB 详细参数说明 - **封装类型**: DFN6(2X2) - **晶体管配置**: 单P沟道 - **漏源极耐压 (VDS)**: -20V - **栅源极耐压 (VGS)**: ±20V - ...
AON2800-VB是一款双N沟道和双P沟道MOSFET,采用DFN6(2X2)-B封装,适合于低电压高效能应用场合。该器件采用Trench技术,具有低导通电阻和优异的热特性,适用于要求高效能和空间紧凑的电路设计。 ### 二、AON2800-VB 详细参数说明 - **封装形式**: DFN6(2X2)-B - **配置**: 双N+N沟道 - **漏源电压(VDS...
封装 DFN6-2X2 批号 2023+ 数量 100000 输入电压 4.3V-6.5V VPRESET 4.2V ICHARGE(min) 0.1A ICHARGE(max) 1.0A VSTANDOFF 10V 特色服务 优势供应 可售卖地 全国 型号 RY4056AD6 技术参数 品牌: RYCHIP/蕊源 型号: RY4056AD6 封装: DFN6-2X2 批号: 2023+ 数量: 100000 输入电压:...
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详细参数 商品编码08DZ076699 原厂编码TVS1400DRVR 品牌德州仪器(TI) 毛重0.039 封装规格DFN-6-EP(2x2) 反向截止电压(Vrwm)14V 工作温度-40℃~+125℃@(Ta) 峰值脉冲电流(Ipp)@...8A 钳位电压(Vc)@Ipp19.3V 结电容(Cj)@1MHz120pF@1MHz 击穿电压(VBR)16.2V 峰值脉冲功率(Ppp)@...140W ...
爱企查为您提供DFN6-0.65-2x2芯片烧录座用于此类芯片固件烧录调试校验测试,深圳市鸿怡电子有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。价格;行情报价;图片;厂家;品牌-HMILU;封装/规格-插件;间距-2.54mm;总针脚数-6;圆孔/方孔-圆孔;触头镀层-金;工作温度范围--4
网页http://www.elm-tech.com 标志 功能描述Package,Reel,Taping 类似零件编号 - DFN6-2X2 制造商部件名数据表功能描述 Protek DevicesDFN6-36 83Kb/4PSTANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY DFN6-36 511Kb/6P300 watt Multi-line TVS ARRAY DFN6-36
封装 DFN-6(2x2) 批号 24+ 数量 30000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 90C 最小电源电压 2V 最大电源电压 9.5V 长度 3.9mm 宽度 7.7mm 高度 1.2mm 可售卖地 全国 型号 WS4518D-6/TR 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品...
封装 DFN-6(2x2) 批号 2023+ 数量 5000 制造商 Analog Devices Inc. 产品种类 衰减器 RoHS 是 封装/ 箱体 GP-5 最大衰减 15 dB 最大频率 50 GHz 通道数量 1 Channel 阻抗 50 Ohms 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 85 C 功率额定值 25 dBm 可售卖地 全国 价格说明 价格...
**AON2801-VB** 是一款双P+P-沟道MOSFET,采用Trench技术,封装为DFN6(2X2)-B。它适用于需要在负载开关和功率管理中提供双通道驱动的应用。 ### 二、详细的参数说明 - **封装类型**: DFN6(2X2)-B - **配置**: 双P+P-沟道 - **最大漏源电压 (VDS)**: -30V ...