锂电池保护板专用MOS管KNG3703A漏源击穿电压30V,漏极电流50A,采用先进的沟槽工艺技术,高密度电池设计,具有超低导通电阻RDS(开启) 7.5mΩ,低栅极电荷,最大限度地减少导电损耗,完全表征雪崩电压和电流,确保高效稳定的开关性能;适用于同步降压变换器、DCDC电源系统、负载开关中,封装形式:DFN3*3。 30v50a,KNG3703A场...
高新技术企业 产品详情 惠海半导体100V30A耐压DFN3*3小体积小封装mos管散热超强 抖频过认证EMC&EMI:0 产品详情 型号HC1006D品牌惠海 封装DFN3*3类型NMOS 耐压100V开启电压1.8V 结电容--电流30A 内阻Rdson@4.5V25mR内阻Rdson@10V20mR
封装/规格 DFN3*3 类型 2个N沟道 漏源电压 30v 连续漏极电流 35A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10 输入电容(Ciss@Vds) 633 包装 托盘 最小包装量 5000 品牌 永源微 永源微AP10H03DF DFN3*3 双N-MOS,无线充15W 英集芯等SOC无线充通用.深圳市强芯微科技有限公司是永源微MOS主力代理商,大量...
封装 DFN3*3 批号 新年份 数量 100000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 90C 最小电源电压 5V 最大电源电压 7V 长度 4.2mm 宽度 1.1mm 高度 1mm 可售卖地 全国 型号 HM24N03N 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等...
HTN7743:3...HTN7743是3.5A降压转换器,具有从4V到42V的宽输入电压,集成了90mΩ高侧MOSFET和60mΩ低端MOSFET。HTN7743允许从高输入电压到低输出电压的功率转换,开关MOS的蕞小导通
N沟道 TS03N03N3 PDFN3*3-8L -55~+150℃ 是 负荷开关 100N03 引脚配置 Pin Configurations 产品特性 Product characteristics VDS(max) =30V ID (max)=100A 应用范围 Scope of application UPS电源 手机充电器 电源适配器 多端口墙壁充电器 公司优势 Company advantage 正 ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 MOS管 商品关键词 双N、 MOS、 永源微AP10H03DF、 低电阻、 无线充15W 商品图片 商品参数 品牌: 永源微 封装/规格: DFN3*3 漏源电压: 30v 连续漏极电流: 35A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 10 输入电容(Ciss@Vds): 633 包装: 托盘 ...
NTTFS4941N MOS管对应DO ZC009NG DFN3*3贴片N沟道30V 46A场效应管 ¥ 0.22 ME4425 MOS管 对应DO SC020PG SOP-8封装P沟道-30V -10.6A大芯片足参数 ¥ 0.20 NTMS4939NR2G MOS管 对应DO SC009NG SOP-8封装N沟道30V 12.5A大芯片 ¥ 0.17 STN442D MOS管 对应DO DE030NG TO-252 60...
MOS管型号:HG1033D 参数:100V8A(8N10) 内阻:110mR(VGS=10V) 结电容:201pF 类型:沟槽型NMOS 开启电压:1.8V 封装:DFN3*3 【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等 【惠海MOS管常规型号】17N06 30N06 50N06 30N03 5N10 10N10 17N10 25N10 3400 价格说明 价格...
矽源特ChipSourceTek-CST50N03D是PDFN3*3封装,30V,50A的N-Mosfets。矽源特ChipSourceTek-CST50N03D是BVDSS=30V,RDSON=7.0mΩ,ID=50A的N沟道快速切换Mosfets。提供PDFN3333-8L封装。矽源特ChipSourceTek-CST50N03D是一款具备优异特性的N沟道快速切换Mosfet。其BVDSS参数高达30V，RDSON电阻为7.0mΩ，最大电流...