封装 DFN2020-6 批号 2020 应用领域 3C数码 可售卖地 全国 型号 LP3218DT1G 产品图片展示 一.LP3218DT1G产品特点 低姿态 dfn 2.0 x2.0 x0.62毫米板空间节省 ●1 比例失调 rds (on) ●2.ESD放射性物质,保护门 ●3。这是个无铅设备 ●4。本公司声明产品材料为无卤素材料,符合环保要求 二。LP3218...
封装 DFN2020-6 批号 23+ 数量 168861 产品应用 电子设备 是否支持订货 是 现货交期 1个工作日内 是否支持样品 是 产品认证 UL,RoHS,CSA,TUV 是否提供FAE 是 可售卖地 全国 类型 电子元器件 型号 PMC85XP 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化...
封装 DFN2020-6L 数量 100000 QQ 3007519426 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 CHIP/小型片状 材料 GE-N-FET锗N沟道 是否跨境货源 否 批号 19+ 封装 DFN2020-6L 可售卖地 全国 用途 A/宽频带放大 型号 WCM2070 货号 WCM2070 商家答疑(3) 我要提问 问 发货地在哪? 答...
封装 DFN2020-6L 批号 19+ 数量 3000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -20C 最大工作温度 80C 最小电源电压 3V 最大电源电压 6.5V 长度 3.7mm 宽度 6.9mm 高度 2mm 可售卖地 全国 型号 WPT2N31 技术参数 品牌: Willsemi 型号: WPT2N31 封装: DFN2020-6L 批号: 19+ ...
封装 DFN2020-6 批号 21+ 数量 200000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40C 最大工作温度 100C 最小电源电压 1.5V 最大电源电压 7.5V 长度 4.2mm 宽度 5.3mm 高度 2mm 可售卖地 全国 型号 HMN2012AD2 深圳南芯电子技术有限公司是由一支年轻且经验丰富的半导体器件研发团队创...
Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米,是一款额定电压为 -25V的P通道器件,体积较同类的器件纤薄50%。同系列另一采用DFN2020E封装的MOSFET则具有0.5毫米离板高度,较其他一般离板高度为0.6毫米...
封装 DFN2020-6 批号 2017+PB/2018+PB/ 数量 1 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40C 最大工作温度 100C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 9.5V 长度 6.6mm 宽度 1.9mm 高度 1.4mm 可售卖地 全国 型号 WD3138D-6/TR 技术参数 品牌: WILLSEMI 型号: WD3138D-6/TR ...
矽源特ChipSourceTek-CST30P10D是一款高性能的P沟道快速切换Mosfet,其DFN2020-6L封装、30V、10A的规格,以及BVDSS=-30V、RDSON=19mΩ、ID=-10A的参数,使其在众多电子元件中脱颖而出。这款产品不仅具备出色的电气性能,还在设计和制造过程中融入了多项先进技术,以满足现代电子设备对高效、可靠和环保的需求。
封装: DFN2020-6 批号: 22+原装现货 数量: 6000 制造商: Diodes Incorporated 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: U-DFN2020-6 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 12 V Id-连续漏极电流: 26 A Rds On-漏源导通电阻:...
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