制造商编号 DF11MR12W1M1_B11 产品 PowerMOSFETModules 配置 Half-Bridge 栅极—射极漏泄电流 400nA 最小工作温度 -40C 最大工作温度 +150C 商标 InfineonTechnologies 高度*长度*宽度 ** 系列 DiscreteModule 可售卖地 全国 型号 DF11MR12W1M1_B11 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体...
型号 DF11MR12W1M1_B11 上海意发电子科技有限公司上海意发电子科技有限公司是一家集代理、分销、直销为一体的电力电子半导体销售。我公司专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件、变频器配件、铝电解电容和功率模块,熔断器;主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron,IXYS艾赛斯、...
这款1200V CoolSiC MOSFET模组DF11MR12W1M1_B11还使用了英飞凌thinQ!产品线的新款SiC肖特基二极管,该器件基于MPS(merged-pin-Schottky)结构,结合了肖特基势垒的电场屏蔽和通过空穴注入提高的浪涌电流能力。 DF11MR12W1M1_B11模组部分制造工艺 最后,本报告还对1200V CoolSiC MOSFET模组DF11MR12W1M1_B11进行成本和价...
IGBT模块 DF23MR12W1M1/B11 产地 德国 封装材料 塑料封装 关断速度 高频(快速) 功率特性 大功率 数量 600 可售卖地 全国 型号 DF11MR12W1M1/B11 IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容 可控硅-快速系列,交期快,货源稳 TT56N12KOF、TT56N14KOFTT56N16KOF、TT56N18KOFTT60N12KOF、TT60N14KOFTT60N16...
型号 DF11MR12W1M1B11BPSA1 PDF资料 集成电路-其他集成电路-DF11MR12W1M1B11BPSA1-Infineon -原厂封装-21+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为...
制造商编号 DF11MR12W1M1B11BOMA1 制造商 Infineon(英飞凌) 唯样编号 G-DF11MR12W1M1B11BOMA1 供货 Arrow 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 1200V, 100A, 23mOhms, Easy1B-2 Package 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 DF11MR12W1M1B11BOMA1.pdf 参数信息 常见问题 参数有误?
DF11MR12W1M1B11BPSA1 EasyPACK™ 1B 1200 V / 11 mΩ升压模块,采用CoolSiC™ MOSFET、NTC和PressFIT接触技术,升压级中的CoolSiC™肖特基二极管的额定电流有所提高,允许光伏板提供更高的输入电流。 特点概述 高电流密度 最佳的开关和传导损耗
爱企查为您提供上海华整贸易有限公司供应DF11MR12W1M1P_B11 英飞凌 Infineon 原厂分销 全新IGBT功率模块等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多晶闸管、保险丝、熔断器、整流器、可控硅、igbt模块、f
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Type MOSFET Brand Name original Package Type Throught Hole Other attributes Mounting Type Chassis Mount Description MOSFET MODULE 1200V 50A Place of Origin Mexico Package / Case Module Operating Temperature -40~170℃ D/C NEW Application MOSFET driver Supplier Type O...
DF11MR12W1M1B11BOMA1 引脚图与封装图 DF11MR12W1M1B11BOMA1电路图 库存: 0 货期: 8周-10周(咨询客服) 最小起订: 1个 整装: ￥10 单价:￥1812.878876总价:￥1812.88 联系客服 价格(含增值税) 数量单价总价 11812.8788761812.88 101727.1510717271.51...