这是一台realme gtneo2t 8+128g 成色95新,原装机,功能全好,天玑1200处理器+120高刷,打游戏完全没问题,保修到明年3月份,原装充电器盒子都在,有需要的可以联系。有想法私聊 手机 科技 数码 数码 绍兴佳木数码 性价比二手机器 价格 realme 赵星科爱玩数码发消息 ...
1200 V、40 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 产品概述 描述 所有功能 特别推荐 描述 These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These...
1200 V、75 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT,TO-247长引线封装 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 产品概述 描述 所有功能 特别推荐 描述 该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是“H”系列IGBT中的成员,代表...
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high-switching freque...
批量生产 储存到myST 1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT Order Direct 产品概述 描述 所有功能 特别推荐 描述 This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the H series of IGBTs...
批量生产 储存到myST 1200 V、25 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT 产品概述 描述 所有功能 特别推荐 描述 This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the H series of IGBTs, which represents an...