根据频率设置，一般12-18都可以，对稳定性有一定影响 tRDRD_dg与tWRWR_dg同步：7或者8都可。 tRDWR_sg与tRDWR_dg同步：越低性能越高，稳定性越差。tWRRd_sg与tWRRD_dg：极度影响稳定性与前文提到的tWTR_L和tWTR_S联动，建议从AUTO开始同步降低至不稳。MRC快速启动以及MCH完全检查，建议在超频时进行设置，...
第一个是第二时序里的DRAM Refresh Interval,改为65535,别家对应的小参名字我原先都有教程,找找就行。 第二个是第三时序里的tWRWR_sg,改为16,就好了。 回到上一级菜单下拉我们来调节相关的电压。首先打开High DRAM Voltage Mode,解锁内存电压上限,然后把内存VQQ和VDDQ电压改为1.56和1.55V(可在1.52-1.58V之间...
第三时序, tRDRD_sg与tWRWR_sg同步: 根据频率设置,一般12-18都可以,对稳定性有一定影响 tRDRD_dg与tWRWR_dg同步: 7或者8都可。 tRDWR_sg与tRDWR_dg同步: 越低性能越高,稳定性越差。 tWRRd_sg与tWRRD_dg: 极度影响稳定性与前文提到的tWTR_L和tWTR_S联动,建议从AUTO开始同步降低至不稳。 MRC快速启...
因为是海力士金标颗粒，小编直接把内存VDD和VDDQ电压给到了1.66V，IVR VDDQ和MCV分别设置了1.45V和1.5V，CPU SA设置为1.3V，内存时序方面小编给得比较宽松，给了38-48-49-100，第二时序tREFI设置为65535，第三时序tWRWR_sg设置为16，经过这番朴实无华的操作，小编成功地把内存条稳定在8200MT/s的...
tRDRD_sg=tWRWR_s=7000/2000*5=17.5,取17或18都可 tRAS=7000/2000*24=84. tRDRDdg,tWRWRdg固定7或者8都可, tRDWRsg/dg 取最低过测值,19或者20,低频可以18. _dd为四槽插满的参数,_dr为双面颗粒的参数。 主时序只需注意tCL联动tCWL,从而联动tWRRD_sg、tWRRD_dg、tWTR_L、tWTR_S。
tRDRD_sg与tWRWR_sg同步: 根据频率设置,一般12-18都可以,对稳定性有一定影响 tRDRD_dg与tWRWR_dg同步: 7或者8都可。 tRDWR_sg与tRDWR_dg同步: 越低性能越高,稳定性越差。 tWRRd_sg与tWRRD_dg: 极度影响稳定性与前文提到的tWTR_L和tWTR_S联动,建议从AUTO开始同步降低至不稳。
第二个是第三时序里的tWRWR_sg,改成16。其他小参如果大家有空可以一一慢慢折腾。 返回Ai Tweaker来调节相关电压。Actual VRM Core Voltage调成手动,这个是调节CPU Sa电压的,下面的数值改成1.25V(1.2-1.3V之间);处理器系统代理电压改成手动,数值1.25V;High Dram Voltage Mode改成开启,解锁内存双压,改成1.48V...
小编首先把内存超频模式调至手动,因为是海力士金标颗粒,小编直接把内存VDD和VDDQ电压给到了1.66V,IVR VDDQ和MCV分别设置了1.45V和1.5V,CPU SA设置为1.3V,内存时序方面小编给得比较宽松,给了38-48-49-100,第二时序tREFI设置为65535,第三时序tWRWR_sg设置为16,经过这番朴实无华的操作,小编成功地把内存条...
注:根据频率不同,体质不同设置的值不同,但是某些情况下tWRWR_sg可以低于tRDRD_sg。以频率6666MHz为例tRDRD_sg最低为12,tWRWR_sg最低为9。以下为各个频率极限值的参考(前为tRDRD_sg,后为tWRWR_sg)6600MHz:12-9,6666MHz:12-9,6800MHz:12-12, 7000MHz: 12-12, 7200MHz: 14-14, 7400MHz: 14-14...
第三时序动一个tWRWR_sg,提升写入性能的,改为16。 然后我们来调节电压。SA电压自动,14代要手动调的话往下压。新MDie颗粒不吃电压,内存双压给个1.4V就行。 然后进入高级内存电压,调节IVR,14代同样偏低,给个1.35V就行。MC电压自动,如果要手动调节,14代最好不超过1.4V太多。