在DRAM投入使用之前，必须经过四个关键步骤：上电与初始化、ZQ校准、Vref DQ校准以及读/写训练。完成这些步骤后，系统将进入空闲状态并开始运行。根据设备部署的具体条件，您可能需要决定是否启用定期校准。参考资料：DDR4 SDRAM - 初始化、训练与校准
译文: DDR4 SDRAM - Understanding the Basics(上) LogicJitterGibbs ICer && 业余FPGAer 一文了解 DDR4 的基础知识。 原文地址:https://www.systemverilog.io/ddr4-basics#dram-sub-system申请翻译授权中,如有侵权,将会删除 引言 Introduction 如今,DDR4 SDRAM 是基于 FP… ...
译文: DDR4 SDRAM - Understanding the Basics(上) LogicJitterGibbs ICer && 业余FPGAer 一文了解 DDR4 的基础知识。 原文地址:https://www.systemverilog.io/ddr4-basics#dram-sub-system申请翻译授权中,如有侵权,将会删除 引言 Introduction 如今,DDR4 SDRAM 是基于 FP… ...
• 对DDR4 SDRAM的读和写操作是以突发为导向的。它从一个选定的位置开始(由用户提供的地址指定),并继续进行4个或8个突发长度。 • 读取和写入操作是一个两步过程。它以 ACTIVATE 命令开始(ACT_n 和 CS_n 在一个时钟周期内变为低电平),然后是 RD 或 WR 命令。
DDR4SDRAM(Double Data RateFourth Synchronous Dynamic RandomAccess Memory)控制器作为现代计算系统中的重要组成部分,其设计和功能对于提升系统性能、降低功耗以及增强数据可靠性起着至关重要的作用。以下是对DDR4 SDRAM控制器主要特点的详细分析,旨在覆盖其关键功能、性能提升、技术优化以及应用优势等方面。
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DDR4 SDRAM DIMM是计算机内存的一种技术规格。其核心特点包括DDR（Double Data Rate Memory），代表每个时钟周期（CL）传输的数据量比单倍数据速率内存（SDR）高出一倍。版本4表示这是DDR系列的第四次更新，引入了更高的数据传输速度和更低的功耗。S代表内存访问与内存时钟同步的特性，即数据传输与时钟信号...
DDR4 SDRAM的焊球间隙为0.8 mm * 0.8 mm，共有3列未填充焊球。DDR4 SDRAM的列定义如下：- 位宽为4/8/16的DDR4组件有两组各3列的电气列，中间有3列未填充焊球。电气列包含信号、电源/地焊球，其余焊球用于机械支撑。- 位宽为4的DDR4上，特定引脚、标记以及A17仅对4位DDR有效。对于位宽...
如前所诉,本文为翻译学习大佬博客。强烈推荐直接去看大佬原博:DDR4 SDRAM - Initialization, Training and Calibration 引言 当带有DRAM子系统的设备上电后,在 DRAM 进入运行状态之前会发生许多事情。 以下来自JEDEC规范的状态机显示了DRAM从上电后的各种状态切换。