(2)VTT上拉电阻放置在相应网络的末端,即靠近最后一个DDR4颗粒的位置放置;注意VTT上拉电阻到DDR4颗粒的走线越短越好,走线长度小于500mil;每个VTT上拉电阻对应放置一个VTT的滤波电容(最多两个电阻共用一个电容) (3)CPU端和DDR4颗粒端,每个引脚对应一个滤波电容,滤波电容尽可能靠近引脚放置。线短而粗,回路尽量短...
4 A17仅针对位宽为4的DDR有效。 5 标注为5的引脚近用于堆叠设计,对于单体封装,这些引脚都被定义为NC。 6 ODT1/CK1/CS_n仅用于DDP(Dual Die Package)功能中 7 TEN用于容量大于8Gb的DRAM,如果IC 不支持这一功能的话,该引脚将被作为NC 位宽为4或者位宽为8的焊球分布 2.5 DDR4 SDRAM X16 Ballout using M...
TENInput连通性测试模式启用：X16器件上必选，并且密度等于或大于8Gb的x4 / x8上为可选输入。此引脚中...
( Parityforcommandandaddress ):命令与地址总线奇偶校验, DDR4SDRAM 支持奇偶校验;7)ALERT_N(Alertoutput):警示信号, 此信号可代表 DRAM 中产生的多种错误,若此信号没有使用,则需要 再板上将此信号连接至 VDD;8)TEN(Connectivitytestmode):连通 性测试使能,在 x16 系统中需要,但是在 x4 与 x8 系统中仅在 ...
再板上将此信号连接至VDD;8)TEN(Connectivitytestmode):连通 性测试使能,在x16系统中需要,但是在x4与x8系统中仅在8Gb颗 粒中需要。此引脚在DRAM内部通过一个弱下拉电阻下拉至 VSS2)( 。 相对于DDR3DDR4减少的引脚1)、VREFDQ2);bankaddress1of3)(; 3)1个VDD,3个VSS1个VSSQ,。 2DDR4的互联拓扑结构 2.1...
TEN Input 连通性测试使能:在x16系统中需要,但是在x4与x8系统中是仅在8Gb颗粒中需要。此信号为高电平时,其他所有的引脚都将进入连通性测试模式。此信号为轨到轨的CMOS类型的信号,DC高低电平分别为VDD的80%与20%。是否使用此信号,取决于整个系统的规划。但是此引脚在DRAM内部是通过一个若下拉电阻下拉至VSS的。 NC...
RESET_n需要在具有稳定功率的最小200us时间内保持在0.2 VDD以下,并且TEN需要在具有稳定性功率的最小700us时间内保持电压值低于0.2*VDD。在RESET_n被取消断言之前的任何时间(最小时间10ns),CKE被拉低。300mV至VDD min之间的电源电压需要小于200ms;在斜坡期间,VDD需高于VDDQ电压值,...
TEN Input 连通性测试使能:在x16系统中需要,但是在x4与x8系统中是仅在8Gb颗粒中需要。此信号为高电平时,其他所有的引脚都将进入连通性测试模式。此信号为轨到轨的CMOS类型的信号,DC高低电平分别为VDD的80%与20%。是否使用此信号,取决于整个系统的规划。但是此引脚在DRAM内部是通过一个若下拉电阻下拉至VSS的。
引脚,请参考以下图示。 1 2 10 9 Power LED Reserved Power Switch JFP1 HDD LED Reset Switch JFP2 1 Buzzer Speaker ⚠注意 请注意,Power LED 和 HDD LED 有正负极连接,您需要将电缆连接到主板上对应的正负 极端口。否则,LED 将无法正常工作。
此信 号为高电平时,其他所有的引脚都将进入连通性测试模式。此信号为轨到轨的CMOS 类型 TEN Input 的信号,DC 高低电平分别为VDD 的80%与20%。是否使用此信号,取决于整个系统的规 划。但是此引脚在DRAM 内部是通过一个若下拉电阻下拉至VSS 的。 NC 无电气连接。 VDDQ Supply DQ 供电:1.2V +/- 0.06V VS...