DDR4信号测试主要分为以下几种情况: 1.以手机为代表的多阶表贴内存颗粒,由于主芯片与内存颗粒几乎是挨着摆放,信号不是通孔,没有测试点,要测试必须使用interposer; 2.以电视为代表的单面表贴颗粒,这种有条件也可以上interposer,没条件就直接刮开过孔、刮开走线绿油测试是一样的。像下面一样,TOP层4mil间距DQS差分...
15) 除了时钟和复位管脚,其他管脚不能在两种不同的bank类型中交叉布线(HP和HR bank,推荐HP) 16)Par alert_n TEN管脚不包含在FPGA管脚上,TEN 499R下拉到地,PAR Alert_n 39R上拉到VTT 17)如果该Bank 需要分配dq,dqs,sys_rst_n信号不要放在N0 N6管脚上。 18)Important:同一个接口不要混用不同类型的芯片...
如果未作为信号连接，则必须将ALERT_n引脚绑定到板上的VDD TENInput连通性测试模式启用：X16器件上必选...
assign iDDR4.TEN = 1b0; assign iDR4.ZQ = 1b1; assign iDRA4.PWR = 1b1; assign iDDR.VREF_CA = 1'b1; assign iDDR4.VREF_DQ = 1b1; assign iDDR4.RESET_n = cO_ddr4_reset_n; 仿真测试: 使用simulation进行仿真,配置正确的情况下,c_init_calib_complate信号拉高后表示初始化成功。 📈 ...
DDR4信号引脚功能 DDR4新增pin DDR4新增功能 (1)新的JEDEC POD12接口标准(工作电压1.2V) ; (2)DBI:可以降低功耗并且提升数据信号完整性; (3)Bank群组结构:是个8n预取群组结构,它可以使用两个或者四个Bank组,这允许DDR4内存在每个Bank群组单独被激活、读取、写入或刷新操作,这样可以带来更高的内存速度和带宽;...
1. Apply power (RESET_n and TEN are recommended to be maintained below 0.2 x VDD; all other inputs may be undefined). RESET_n needs to be maintained below 0.2 x VDD for minimum 200us with stable power and TEN needs to be maintained below 0.2 x VDD for minimum 700us with stable pow...
这是从DDR4框图中截取的一部分。该DDR总共有16个Bank,每4个Bank组成一个Bank组。 READ Buust操作 DDR4 读命令支持突发长度为BL8,BC4两种,或者OTF(实时修改BL8和BC4)。这由A12来控制 .A12 = 0 ,BC4(BC4 = burst chop) .A12 = 1 ,BL8
这是从DDR4框图中截取的一部分。该DDR总共有16个Bank,每4个Bank组成一个Bank组。 READ Buust操作 DDR4 读命令支持突发长度为BL8,BC4两种,或者OTF(实时修改BL8和BC4)。这由A12来控制 .A12 = 0 ,BC4(BC4 = burst chop) .A12 = 1 ,BL8
概述: 一款容量8G的DDR4 SDRAM芯片,具备ODT、数据总线反转、自刷新、以及TEN等功能。在-55℃ ~ +125℃温度范围均可进行工作,具有预充电,最大节能模式等特点。 特性: •512M×16 8Gb容量 •电压 - VDD=VDDQ=1.2V(1.14V to 1.26V) - VPP=2.5V(2.375V to 2.75V) ...
此信号可代表DRAM中产生的多种错误,若此信号没有使用,则需要 再板上将此信号连接至VDD;8)TEN(Connectivitytestmode):连通 性测试使能,在x16系统中需要,但是在x4与x8系统中仅在8Gb颗 粒中需要。此引脚在DRAM内部通过一个弱下拉电阻下拉至 VSS2)( 。 相对于DDR3DDR4减少的引脚1)、VREFDQ2);bankaddress1of3)...