当字节中“0”比特位多于“1”时，DBI功能会被激活，从而将整个字节的“0”和“1”进行反转，使得“1”比特位多于“0”，进而在传输信号时节省功耗。因此，提高DDR4的高电平输出比例是降低功耗的关键，这正是DBI技术的核心所在。举例来说，当8比特链中有至少5个DQ信号为低时，所有比特将发生翻
对于地址控制、命令信号速率在800Mbps到1600Mbps定义了AC150和AC175两种输入门限VREF±150mV、VREF±175mV,当速率超过1600Mbps后则定义了AC125和AC135两种输入电平门限VREF±125mV、VREF±135mV;对于数据信号速率在800Mbps1066Mbps时使用AC150和AC175门限VREF±175mV,1333Mbps1600Mbps时使用AC150门限VREF±150mV,当速率在...
1. CK,Address,DQS,DQ,DM信号都有哪些作用?CK是DDR的数据通信时钟信号,当CK和Address信号配合工作时,可以进行CMD(命令)操作和Address(地址)信号传输。由于地址信号和命令信号在DDR操作过程中属于控制信号,相对DDR的数据传输,属于小众场景,所以DDR的地址信号和CMD信号目前仍然走的是单端走线,工作频率比起数据传输也比...
DDR4电平为1.2V，数据传输信号走差分，频率范围在1600Mbps至3200Mbps之间。DDR4关键信号包括CK、ADDR、DQS、DQ、DQM等，CK为数据通信时钟信号，ADDR为地址信号，DQS为数据选取脉冲，DQ为数据信号线，DQM为数据掩码信号。ODT（On-Die Termination）为集成在芯片内部的端接匹配电阻，用于优化数据、数据选通...
这样，在包含9根信号线（8根DQ信号和1根DBI信号）的组合中，至少有五个状态会呈现为高电平，从而有效地降低了功耗。在DDR4中，一个有趣的变化是参考电压Vref的处理方式。在传统的DDR信号中，高或低的决定通常依赖于输入信号与另一个参考信号（Vref）的比较。然而，在DDR4的设计中，这一机制有所调整。尽管VREF...
DQ 判决电平校准 Verf DQ Calibraton 图-8 VrefDQ Calibration DDR4 数据线的端接方式(Termination Style)从 CCT(Center Tapped Termination,也称 SSTL,Series-Stud Terminated Logic)更改为 POD(Pseudo Open Drain)。这是为了提高高速下的信号完整性,并节约 IO 功耗。这不是 POD 的首次应用,GDDR5 同样使用 POD...
DM为DQ屏蔽pin脚,DM为高电平时将屏蔽DQ端的数据,它是DDR4接口中时钟频率最快的pin脚之一,其时钟频率可以与CKT一致。 DBI为Data Bus Inversion管脚,由于I/O总线上的数据是Standby在1的状态,每次从1切换到0都会产生一定的功耗,因此DDR4出于降低功耗的考虑,如果某一拍中的8bit数据中有4位以上都是0,那么可以把这...
正是由于POD电平的这一特性,DDR4设计了DBI功能。当一个字节里的“0”比特位多于“1”时,可以使能DBI,将整个字节的“0”和“1”反转,这样“1”比“0”多,相比原(反转前)传输信号更省功耗。 举个例子,当8bit lane中有至少有5个DQ都是低时,所有的Bit将会被翻转,并且DBI(Data Bus Inversion)置低,用来指示...
因此,降低 DDR4 系统功耗的方法是最大化驱动高电平的数量。这时,数据总线反转(DBI)功能就派上了用场。如果在一个 8 位通道中至少有 5 个DQ信号被驱动到低电平,那么所有位都被切换,数据总线反转(DBI)信号被拉低以指示发生了反转。这样,在...
c0_ddr4_dq[*]是数据输入或输出双向数据总线。c0_ddr4_ba[*]为Bank address，其详细描述将在后续文章中介绍。c0_ddr4_bg[]为Bank group address，同样，其详细内容将在后续文章中展开。c0_ddr4_dm_dbi_n[]中的dm信号，主要用于在写入数据时作为输入掩码。当dm信号与输入数据相同时，该数据将被屏蔽。而dbi...