1. 下载vck190 boardfile到本地,找到board.xml,把DQ width增大为72bit,dqs_c/dqs_t/dm的位宽都增大为9bit。修改部分如下。 <port_map logical_port="DQ" physical_port="c0_ddr4_dq" dir="inout" left="71" right="0"> <pin_maps> <pin_map port_index="63" component_pin="c0_ddr4_dq63"/...
DQ pins per DQS group:每个DQS组的数据位宽为8bit,根据DDR发出的DQS信号来判断在什么时候接收读出来的数据。如果是写的话,就正好相反,DDR根据北桥发出的DQS信号来触发数据的接收。 Row address width:行地址宽度为16bit; Column address width:列地址宽度10bit; Bank address width:bank地址位宽2bit,可编码4个ba...
这里的n，就是DQ位宽，即上面的device width（x4/x8/x16）。所以DDR3 16bit SDRAM内存颗粒，16bit指...
OCD的主要作用在于调整 I/O 接口端的电压,来补偿上拉与下拉电阻值, 从而调整DQS 与 DQ 之间的同步确保信号的完整与可靠性。调校期间,分别测试 DQS 高电平和 DQ高电平,以及 DQS 低电平和 DQ 高电平的同步情况。 如果不满足要求,则通过设定突发长度的地址线来传送上拉 / 下拉电阻等级(加一档或减一档),直到测...
由于行列地址线是分时复用的,以 x4 位宽为例,行列共享 A0-A14 地址线中的 A0-A9,所以 x4 位宽总地址数量为 15 (A) + 2 (BA) + 2 (BG) = 19。 这里我们看到使用小位宽颗粒虽然能够拼接更多颗粒,提供更大的系统容量,但是所需要的地址线较 x8 和 x16 的颗粒也更多。这是更大系统容量的代价,或者说是...
VDDQ供应DQ电源：1.2 V +/- 0.06 V VSSQ供应DQ地 VDD供应电源：1.2 V +/- 0.06 V VSS...
列的宽度是标准的 - 它是 4 位、8 位或 16 位宽,DRAM 根据此列宽分为 x4、x8 或 x16。另外需要注意的是,DQ 数据总线的宽度与列宽相同。因此,为简化起见,您可以说 DRAM 是根据 DQ 总线的宽度进行分类的。 [旁注:x16 设备只有 2 个 Bank Group,而 x4 和 x8 有 4 个,如图 2 所示。] ...
这里的x8表示的是IO数据（DQ）的位宽度。通过这个配置，我们可以更好地理解DDR的容量计算方法。我的理解是，这里的page size更类似于逻辑上的一个页面，并不等同于bank中一行的所有bit。这是因为，在考虑prefetch宽度时，一行的所有bit并不会全部被寻址。上表是JESD-3D标准中的表格，其中Row Address和Column Addres...