(常用DDR命令后面会讲解)所以DDR5增加了一倍的bank group用于提升性能。 由于需要寻址4个bank group和4个bank,所以颗粒有BG0,BG1和BA0,BA1引脚分别对应到bank group和bank的寻址。(两根地址线可以寻址2^2=4个地址) 对于这个8bit的8Gb die来讲,每个bank group有1G / 4 = 256M个字(字也就是word的含义后面会...
其实很简单,根据上节讲的内存寻址原理,我们知道每个DDR颗粒有2个BANK GROUP(1根BG信号),4个BANK(2根BA信号),与CS扩展容量的原理一致,我们把BG0接在DDR颗粒1上,BG0拉高拉低,我们可以寻址CHIP1的8个BANK。BG1接在DDR颗粒2上,BG1拉高拉低,我们可以寻址CHIP1的8个BANK。BA、ADDR进行菊花链连接,同时接在2颗DDR...
RAS_n/A16、CAS_n/A15和WE_n/A14:这些引脚具有复用功能,在激活命令中作为行地址的一部分,在其他命令中则作为控制信号。 BG0-BG1:存储体组(Bank Group)输入信号,用于选择激活、读取、写入或预充电命令应用于哪个Bank Group。 BA0-BA1:Bank地址输入信号,用于选择将命令应用于哪个Bank。 A0-A17:地址输入信号,为...
它以 ACTIVATE 命令开始(ACT_n 和 CS_n 在一个时钟周期内变为低电平),然后是 RD 或 WR 命令。 • 与 ACTIVATE 命令同时注册的地址位用于选择要激活的 BankGroup、Bank 和 Row(x4/8 中的 BG0-BG1 和 x16 中的 BG0 选择 bankgroup;BA0-BA1 选择 bank;A0-A17 选择row)。此步骤也称为 RAS - Row...
与ACTIVATE命令注册的地址位用于选择要激活的银行和行(x4/8中的BG0- bg1和x16中的BG0选择银行组,BA0-BA1选择银行,A0-A14选择行)。位注册地址一致读或写命令是用来选择的起始列位置操作,确定auto-precharge命令发布(通过A10),并选择BC4或BL8模式“动态”(通过A12)如果启用模式寄存器。
在DDR4上电时，需要配置7个模式寄存器（MR0到MR6），以实现不同的配置内容。配置时，先将BG1置0，然后通过BG0，BA1，BA0实现7个MR的选择。MR0的主要配置项包括：DDR4通过MR5中Parity Latency (PL)的配置来控制奇偶校验是否启用及其延迟时间。A<2:0>=000时不对命令或地址进行奇偶校验。当A<2:0...
设置的逻辑状态为:1 0 0 1. Reset和CKE运行状态确认: 如果不使用PD模式的话,Reset和CKE在正常运行状态下应该都保持高电平 3.2纹波测试: 纹波测试主要测试三个电压的纹波即可。 VDD <75mv VrefCA <=60mv VrefDQ <=60mv 按照正常纹波测试方法测试即可:...
BG0 - BG1Input存储体组（BANK Group）输入：BG0-BG1定义将激活，读取，写入或预充电命令应用于哪个...
DDR3模式寄存器有4个,而DDR4的模式寄存器变成7个,通过BG0、BG1、BA0、BA1来选择。与DDR3不同,在上电和复位初始化时,为了防止DRAM功能错误,给模式寄存器设置了默认值。有些模式寄存器配置会影响到当前输入地址、命令、控制功能等,这些情况下,下一个MRS命令可以在当前MRS命令完成以后发出,而不必遵从tMRD的限制。
PIN_J14SL_BG0DDR4 BG0 PIN_K14SL_BA1DDR4 BA1 PIN_H17SL_BA0DDR4 BA0 PIN_F15SL_RASNDDR4 RASN PIN_G15SL_CASNDDR4 CASN PIN_J15SL_WENDDR4 WEN PIN_H15SL_A13DDR4 A13 PIN_L14SL_A12DDR4 A12 PIN_H16CLK_EMI_1NDDR4 EMIF Reference Clock N ...