这里有一个信号 app_wdf_mask,它是用来屏蔽写入数据的,该信号为高则屏蔽相应的字节,该信号为 0 默认不屏蔽任何字节。 对于背靠背写,其实也有三种情形,唯一点不同的是,它没有最大延迟限制。 接着来看读数据 读时序比较简单,发出读命令后,用户只需等待数据有效信号(app_rd_data_valid)拉高,为高表明此时数据总线...
对于背靠背写,其实也有三种情形,唯一点不同的是,它没有最大延迟限制。 接着来看读数据 读时序比较简单,发出读命令后,用户只需等待数据有效信号(app_rd_data_valid)拉高,为高表明此时数据总线上的数据是有效的返回数据。需要注意的是,在发出读命令后,有效读数据要晚若干周期才出现在数据总线上。下面是背靠背读的...
串并转换模块输入带en信号,输出带valid信号。输入及其en信号直接接DDR UI端app_rd_data & app_rd_data_valid信号,输出及其valid信号直接接BRAM端bram_din及bram_we信号(DDR与BRAM交互模块内部看起来是这样,到top模块,还有总的控制器调度DDR和BRAM数据流动方向)。 对于状态⑤,采用并串转换模块匹配位宽,具体代码详见...
读时序比较简单，发出读命令后，用户只需等待数据有效信号（app_rd_data_valid）拉高，为高表明此时数据...
读时序比较简单,发出读命令后,用户只需等待数据有效信号(app_rd_data_valid)拉高,为高表明此时数据总线上的数据是有效的返回数据。需要注意的是,在发出读命令后,有效读数据要晚若干周期才出现在数据总线上。下面是背靠背读的情况。 需要注意的是,在连续读的时候,读到的数据顺序跟请求的命令/地址是相对应的。通常...
读时序比较简单,发出读命令后,用户只需等待数据有效信号(app_rd_data_valid)拉高,为高表明此时数据总线上的数据是有效的返回数据。需要注意的是,在发出读命令后,有效读数据要晚若干周期才出现在数据总线上。下面是背靠背读的情况。 需要注意的是,在连续读的时候,读到的数据顺序跟请求的命令/地址是相对应的。通常...
app_rd_data_valid; app_wdf_rdy; app_ref_req; app_ref_ack; app_zq_req; app_zq_ack; app_hi_pri; ddr_addr; ddr_ba; ddr_act_n; ddr_bg; ddr_cas_n; ddr_ck_p/n; ddr_cke; ddr_cs_n; ddr_dm; ddr_dm_dbi_n; ddr_odt; ...
读时序比较简单,发出读命令后,用户只需等待数据有效信号(app_rd_data_valid)拉高,为高表明此时数据总线上的数据是有效的返回数据。需要注意的是,在发出读命令后,有效读数据要晚若干周期才出现在数据总线上。下面是背靠背读的情况。 需要注意的是,在连续读的时候,读到的数据顺序跟请求的命令/地址是相对应的。通常...
“读数据通道”主要有app_rd_data, app_rd_data_valid两个信号。当app_rd_data_valid拉高时,相应周期的app_rd_data为有效的读数据。 典型的DDR读时序参见UG586第171页的这张图: 3. 主要控制信号的产生 DDR读写时序已知,那么我们如何coding实现该时序?
c0_ddr4_app_wdf_data : in std_logic_vector(639 downto 0); c0_ddr4_app_wdf_mask : in std_logic_vector(79 downto 0); c0_ddr4_app_rd_data : out std_logic_vector(639 downto 0); c0_ddr4_app_rd_data_end : out std_logic; c0_ddr4_app_rd_data_valid : out std_logic; c0...