高性能Stratix III FPGA可以通过提供高存储器带宽、改进的时序余量以及系统设计中的灵活性来弥补高性能DDR3 SDRAM DIMM的不足。由于DDR3在实际使用中将很快超过DDR2,故提供更低成本、更高性能、更高密度和优异的信号完整性的高端FPGA必须提供与JEDEC兼容的读写均衡功能,以便与高性能的DDR3 SDRAM DIMM相接。FPGA与DD...
DDR3 是一种 DRAM 接口规范。存储数据的实际 DRAM 阵列与早期类型相似,性能相似。DDR3 SDRAM 与其直接前身 DDR2 SDRAM 相比的主要优势在于它能够以两倍的速率(其内部存储器阵列的速度的八倍)传输数据,从而实现更高的带宽或峰值数据速率。 DDR3 标准允许 DRAM 芯片容量高达 8吉比特(Gbit),每个 DDR3 DIMM最多可...
1、DDR PHY到DDR内存颗粒的层次关系 channel->DIMM->rank->chip->bank->row/column组成的memory array 2、详细解释 (1)Channel 一个通道对应一个DDR控制器,每个通道拥有一组地址线、控制线和数据线。 (2)DIMM 主板上的一个内存插槽,一个channel可以包含多个DIMM。 (3)Rank 一组可以被一个内存通道同时访问的...
图1:DDR3 SDRAM DIMM:飞行时间偏移降低了SSN,数据必须被控制器调高到两个时钟周期。 读均衡 在读取操作中,存储器控制器必须补偿由飞越存储器拓扑引起的、影响读取周期的延时。均衡可以被视作为出现在数据通道上的比I/O本身延时还要大的延时。每个DQS都要求一个同步时钟位置的独立相移(经过了工艺、电压和温度(PVT)...
DQM由北桥控制,为了精确屏蔽一个P-Bank位宽中的每个字节,每个DIMM有8个DQM 信号线,每个信号针对一个字节。这样,对于4bit位宽芯片,两个芯片共用一个DQM信号线,对于8bit位宽芯片,一个芯片占用一个DQM信号,而对于 16bit位宽芯片,则需要两个DQM引脚。 在数据读取完之后,为了腾出读出放大器以供同一Bank内其他行的...
DQM由北桥控制,为了精确屏蔽一个P-Bank位宽中的每个字节,每个DIMM有8个DQM 信号线,每个信号针对一个字节。这样,对于4bit位宽芯片,两个芯片共用一个DQM信号线,对于8bit位宽芯片,一个芯片占用一个DQM信号,而对于 16bit位宽芯片,则需要两个DQM引脚。 在数据读取完之后,为了腾出读出放大器以供同一Bank内其他行的...
DQM由北桥控制,为了精确屏蔽一个P-Bank位宽中的每个字节,每个DIMM有8个DQM 信号线,每个信号针对一个字节。这样,对于4bit位宽芯片,两个芯片共用一个DQM信号线,对于8bit位宽芯片,一个芯片占用一个DQM信号,而对于 16bit位宽芯片,则需要两个DQM引脚。 在数据读取完之后,为了腾出读出放大器以供同一Bank内其他行的...
DDR3 SDRAM是指内存条类型，SDRAM是同步动态随机存储器；DIMM是插槽封装方式，即双列并联封装，两侧都有金手指。内存类型和封装方式是两个不同参数。我们现在简称的DDR3都是采用DIMM封装的DDR3 SDRAM内存条。亲
DDR3 SDRAM内存的总线速率达到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz),1.5V的低功耗工作电压,采用90nm制程达到2Gbits的高密度。这个架构毫无疑问更快、更大,每比特的功耗也更低,但是如何实现FPGA和DDR3 SDRAM DIMM条的接口设计呢? 关键字:均衡(leveling)如果FPGA I