VTT被用来从DDR控制器IC中获取电压,给数据总线和地址总线提供电源,VTT不直接应用在DDR器件上,而是在系统电源上(VTT和终端电阻都被集成到 DDRCONTROLLER上),因此不需要在电路图中额外标出。它的值通常设定大致等于VREF的值(在VREF上下0.04V浮动),并且随着VREF的变化而变化。对于DDR1 SDRAM应用中的地址总线
一个0.1uF的电容; 具体如下图所示: 对于较重的负载(>4片DDR器件),可使用IC来产生VREF。IC内部集成了两种电压VTT和VREF,其中VTT在重负载的情况下最高电流可达3.5A,平均...线,DQ[15:8]通过1~10k的电阻接地用来阻止迸发写时的噪声。 1.3、端接技术DDR常用的端接技术有两种,分别如下: 串行端接,主要应用在负...
Vref的电压设定为VDDQ的一半，且其电压需随VDDQ变化。此设计既可以通过电源芯片直接供电，也可通过电阻分压与特定芯片的组合来实现。Vref电压仅为VDDQ的一半，布线走线无需特别宽，独立电源处理提升设计正确性。▍ VTT设计 VTT，即跟踪终止电压，是匹配电阻上拉到的电源，其电压设定为VDDQ的一半。VTT为匹配电阻上拉电...
DDR3中有三类电源,它们是VDD(1.5V)、VTT(0.75V)、VREF(0.75V,包括VREFCA和VREFDQ)。1. VDD(1.5V)电源是DDR3的核心电源,其引脚分布比较散,且电流相对会比较大,需要在电源平面分配一个区域给VDD(1.5V);VDD的容差要求是5%,详细在JEDEC里有叙述。通过电源层的平面电容和专用的一定数量的去耦电容,可以做到电源...
在布局时,VREFCA、VREFDQ的滤波电容及分压电阻要分别靠近芯片的电源引脚,如图21-21所示。 图21-21 VREF电路布局 3、匹配电阻的布局 终端VTT上拉电阻要放置在相应网络的末端,即靠近最后一个DDR3颗粒的位置放置(T拓扑结构是靠近最大T点放置);注意VTT上拉电阻到DDR3颗粒的走线越短越好;走线长度小于500mil;每个...
图3:VTT电源 3.VREF电源 。 VREF要求更加严格的容差性,但是它承载的电流比较小。它不需要非常宽的走线,且通过一两个去耦电容就可以达到目标阻抗的要求。DDR3的VERF电源已经分为VREFCA和VREFDQ两部分,且每个DDR3颗粒都有单独的VREFCA和VREFDQ,因其相对比较独立,电流也不大,布线处理时也建议用与器件同层的铜皮...
VREF布线 在利用MIG工具例化IP核时,会选择内部VREF或者外部VREF。 内部VREF:只用于当数据速率不超过800Mb/s的情况。 外部VREF:对于给定FPGA速度等级下的最大指定数据速率,外部VREF必须跟踪提供给DRAM和地面的VDD电压的中点。VREF跟踪可以用电阻分压器或稳压器来完成。在这些数据速率下,不应使用提供固定参考电压而不考...
分压电阻:Vref通过1%的电阻对DIMM_VDD分压产生,每个Vref引脚和CPU的每个Vref引脚附近应放置0.01uF和0.1uF的电容各一个,分压电阻附近也应放置1个0.1uF电容。🔋 VTT电压的设计与走线: 电源芯片:VTT瞬间电流需求较大,建议使用专用的电源芯片产生,避免使用电阻分压方式。
而另一个核心重点便是电源处理。DDR3中有三类电源,它们是VDD(1.5V)、VTT(0.75V)、VREF(0.75V,包括VREFCA和VREFDQ)。 1. VDD(1.5V)电源是DDR3的核心电源,其引脚分布比较散,且电流相对会比较大,需要在电源平面分配一个区域给VDD(1.5V);VDD的容差要求是5%,详细在JEDEC里有叙述。通过电源层的平面电容和专用的...
在DDR的设计上有三类电源,它们是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%,而其瞬间电流从Idd2到Idd7大小不同,详细在JEDEC里有叙述。通过电源层的平面电容和专用的一定数量的去耦电容,可以做到电源完整性,其中去耦电容从10nF到10uF大小不同,共有10个左右。另外,表贴电容最合适,它具有更小的焊接阻抗。