VTT被用来从DDR控制器IC中获取电压,给数据总线和地址总线提供电源,VTT不直接应用在DDR器件上,而是在系统电源上(VTT和终端电阻都被集成到 DDRCONTROLLER上),因此不需要在电路图中额外标出。它的值通常设定大致等于VREF的值(在VREF上下0.04V浮动),并且随着VREF的变化而变化。对于DDR1 SDRAM应用中的地址总线控制信号和...
在布局时,VREFCA、VREFDQ的滤波电容及分压电阻要分别靠近芯片的电源引脚,如图21-21所示。 图21-21 VREF电路布局 3、匹配电阻的布局 终端VTT上拉电阻要放置在相应网络的末端,即靠近最后一个DDR3颗粒的位置放置(T拓扑结构是靠近最大T点放置);注意VTT上拉电阻到DDR3颗粒的走线越短越好;走线长度小于500mil;每个...
分压电阻:Vref通过1%的电阻对DIMM_VDD分压产生,每个Vref引脚和CPU的每个Vref引脚附近应放置0.01uF和0.1uF的电容各一个,分压电阻附近也应放置1个0.1uF电容。🔋 VTT电压的设计与走线: 电源芯片:VTT瞬间电流需求较大,建议使用专用的电源芯片产生,避免使用电阻分压方式。 铺铜设计:VTT铺铜应走在表层,电源电路应尽量...
4、VTT/VREF电源芯片尽量靠近终端电阻摆放,尽量满足表层铺铜,并且相关电源滤波电容尽量靠近DDR3电源管脚摆放 。 5、时钟线并联端接100ohm电阻放置于最后一片数据高位处,长度尽量短。 6、具有ECC校验时,校验位放置于第一片。此处的反射最大。 阻抗要求: 1、单线阻抗:DDR3所有单端信号,主线阻抗控制40欧姆、负载阻抗...
图3:VTT电源 3.VREF电源 。 VREF要求更加严格的容差性,但是它承载的电流比较小。它不需要非常宽的走线,且通过一两个去耦电容就可以达到目标阻抗的要求。DDR3的VERF电源已经分为VREFCA和VREFDQ两部分,且每个DDR3颗粒都有单独的VREFCA和VREFDQ,因其相对比较独立,电流也不大,布线处理时也建议用与器件同层的铜皮...
VREF布线 在利用MIG工具例化IP核时,会选择内部VREF或者外部VREF。 内部VREF:只用于当数据速率不超过800Mb/s的情况。 外部VREF:对于给定FPGA速度等级下的最大指定数据速率,外部VREF必须跟踪提供给DRAM和地面的VDD电压的中点。VREF跟踪可以用电阻分压器或稳压器来完成。在这些数据速率下,不应使用提供固定参考电压而不考...
当A2低于VTT时,VTT流向DDR。因此VTT需要有提供电流和吸收电流的能力,一般的开关电源不能作为VTT的提供者。此外,VTT电源相当于DDR接收器信号输入端的直流偏执,且这个偏执等于VREF,因此VTT的噪声要越小越好,否则当A2的状态为高阻态时,DDR接收器的比较器容易产生误触发。
因为这次设计用到了Fly-by拓扑结构的内存走线,故添加一颗TPS51200DRCR,用来产生DDR颗粒所需的VREF参考电压和VTT端接电源。 最后,加上一个MT9284,用来给LCD屏幕背光提供恒流源。 FT232H使用内置LDO降压,就不从EA3059那边取电了,至此电源部分就齐活了。
VREF电路布局 在DDR3中,VREF分成两部分: 一个是为命令与地址信号服务的VREFCA;另一个是为数据总线服务的VREFDQ。 在布局时,VREFCA、VREFDQ的滤波电容及分压电阻要分别靠近芯片的电源引脚,如图3所示。 图3:VREF电路布局 3 匹配电阻的布局 为了提高信号质量,地址、控制信号一般要求在源端或终端增加匹配电阻;数据可...
而另一个核心重点便是电源处理。DDR3中有三类电源,它们是VDD(1.5V)、VTT(0.75V)、VREF(0.75V,包括VREFCA和VREFDQ)。 1. VDD(1.5V)电源是DDR3的核心电源,其引脚分布比较散,且电流相对会比较大,需要在电源平面分配一个区域给VDD(1.5V);VDD的容差要求是5%,详细在JEDEC里有叙述。通过电源层的平面电容和专用的...