CAS延迟(CL)是指在正确的行已经打开的情况下,从DRAM中读取第一个内存位所需的时间。 在没有任何活动行的情况下,从DDR中读取第一个内存位的时间为tRCD+CL。 从一个没有活动行的DRAM中读取第一个内存位的时间是tRP + tRCD + CL。 从发出 "活动 "命令到发出 "预充电 "命令所需的时钟周期数为tRAS。 这些...
BIOS 中可能的其他描述为:tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。 Command Rate"首命令延迟"(可能的选项:1/2) 这个选项目前已经非常少见,一般还被描述为 DRAM Command Rate、CMD Rate 等。由于目前的 DDR内存的寻址,先要进行 P-Bank 的选择(通过 DIMM 上 CS 片选信号进行),然后才是 L-Bank/行激活与列...
CAS延迟(CL)是指在正确的行已经打开的情况下,从DRAM中读取第一个内存位所需的时间。 在没有任何活动行的情况下,从DDR中读取第一个内存位的时间为tRCD+CL。 从一个没有活动行的DRAM中读取第一个内存位的时间是tRP + tRCD + CL。 从发出 "活动 "命令到发出 "预充电 "命令所需的时钟周期数为tRAS。 这些...
根据三星金条的通例表现,我就直接给大家演示超频到DDR3 2133MHz,内存时序为11-11-11的超频过程,首先进入到主板BIOS界面,进入AI Tweaker超频菜单,选中Memory Frequency,在下拉菜单中选中2133MHz,回车确定后进入DRAM Timing Control(内存时序)的设置。 在内存时序菜单下包含了第一时序、第二时序、第三时序的丰富调节选项...
根据三星金条的通例表现,我就直接给大家演示超频到DDR3 2133MHz,内存时序为11-11-11的超频过程,首先进入到主板BIOS界面,进入AI Tweaker超频菜单,选中Memory Frequency,在下拉菜单中选中2133MHz,回车确定后进入DRAM Timing Control(内存时序)的设置。 在内存时序菜单下包含了第一时序、第二时序、第三时序的丰富调节选项...
DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路...
DDR是Double Data Rate的缩写,即“双倍速率同步动态随机存储器”。DDR是一种技术,中国大陆工程师习惯用DDR称呼用了DDR技术的SDRAM,而在中国台湾以及欧美,工程师习惯用DRAM来称呼。 DDR的核心要义是在一个时钟周期内,上升沿和下降沿都做一次数据采样,这样400MHz的主频可以实现800Mbps的数据传输速率。
CAS延迟(CL)是指在正确的行已经打开的情况下,从DRAM中读取第一个内存位所需的时间。 在没有任何活动行的情况下,从DDR中读取第一个内存位的时间为tRCD+CL。 从一个没有活动行的DRAM中读取第一个内存位的时间是tRP + tRCD + CL。 从发出 "活动 "命令到发出 "预充电 "命令所需的时钟周期数为tRAS。
CAS延迟(CL)是指在正确的行已经打开的情况下,从DRAM中读取第一个内存位所需的时间。 在没有任何活动行的情况下,从DDR中读取第一个内存位的时间为tRCD+CL。 从一个没有活动行的DRAM中读取第一个内存位的时间是tRP + tRCD + CL。 从发出 "活动 "命令到发出 "预充电 "命令所需的时钟周期数为tRAS。
Command Rate“首命令延迟”(可能的选项:1/2) 这个选项目前已经非常少见,一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址,先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行),然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-...