DQS的作用: 在DDR3内存中,DQS信号用于同步数据的读写操作。它确保数据在正确的时钟周期内被读取或写入,从而提高了数据传输的准确性和稳定性。 DQS的特点: DDR3内存的DQS信号是差分信号,这意味着它使用两个互补的信号线来传输信息,以减少噪声干扰并提高信号质量。 DQS信号与数据信号在时序上是紧密相关的,它们共同确保数据在正确
第六步,设置等长规则 对于数据线,DDR1/2与DDR3的规则是一致的:每个BYTE与各自的DQS,DQM等长,即DQ0:7与DQS0,DQM。等长,DQ8:15与DQS1,DQM1等长,以此类推。 DDR2数据线等长规则举例 DDR3数据线等长规则举例 地址线方面的等长,要特别注意,DDR1/2与DDR是很不一样的。 对于DDR1/2,需要设定每条地址到达同一...
Write Leveling的功能是调整DRAM颗粒端DQS信号和CLK信号边沿对齐;调节过程描述:DDR控制器不停地调整DQS信号相对于CLK的延迟,DRAM芯片在每个DQS上升沿采样CLK管脚上的时钟信号,如果采样值一直低,则会将所有的DQ[n]保持为低电平来告知DDR控制器,tDQSS(DQS, DQS# rising edge to CK, CK#rising edge,在标准中要求为+...
output [0:0]ddr3_odt; 管脚说明: 片上终端使能,ODT使能(high)和禁用(low)片内终端电阻,在正常操作时仅对DQ、DQS、DM有效。 最后放一张接下来打算分析的几张测试图之一作为结尾
CK/CK信号必须在DQS/DQS信号之后到达每个存储器件。CK/CK与DQS/DQS之间允许的偏差范围必须在0到1600ps之间。对于组件/UDIMM,CK/CK和DQS/DQS之间的建议偏差为150ps到1600ps,RDIMM为450ps到750ps,根据此要求进行设计时,必须考虑从FPGA到DIMM上的内存组件的总CK/CK和DQS/DQS传播延迟。
GROUP0: DQ0-DQ7,DQM0,DQS0P/DQS0N; GROUP1: DQ8-DQ15,DQM1,DQS1P/DQS1N; GROUP2: DQ16-DQ23,DQM2,DQS2P/DQS2N; GROUP3: DQ24-DQ31,DQM3,DQS3P/DQS3N; GROUP4: DQ32-DQ39,DQM4,DQS4P/DQS4N; GROUP5: DQ40-DQ47,DQM5,DQS5P/DQS5N; ...
Fly-by拓扑实际上就是菊花链拓扑中的一种特殊情况,当菊花链拓扑中的支路布线长度Stub=0,也就是“SUB线”相当短的时候,可以将其称为“fly-by”。 图3 拓扑结构 图4 Fly-By拓扑 DDR3中时钟、地址、命令信号的布局一般都采用Fly-By拓扑,它相比于T型拓扑能优化信号质量。DQ、DQS信号拓扑结构则是点对点的形式,...
摘要: DDR3 PCB Layout等长处理首先说下DDR3 数据线在原理图分布,以2 个DDR做示范。另一组在原理图分布:我们分成2组,这里的差分线,是控制他们的数据线,如第一组是DDR0 到DDR7 加一个DDR_DQM0 线,DDR_DQS0 DDR_DQS01 就去控制这一组的数据线与CLK误差500MIL视规格书而定,有些规定数据线必须要达1000...
DQ0字节组(单端线):DDR_D[7:0]、DDR_DQM0,以DQS0时钟组对齐; DQ1字节组(单端线):DDR_D[15:8]、DDR_DQM1,以DQS1时钟组对齐。 九、DDR3信号终端电阻应用 本例中DDR3芯片内含有针对DQS[x]和DQ [x]的ODT(片内终结器),而CK和ADDR_CTRL既没有内部的ODT,也没有外接VTT终结器,但这并不影响信号完整...
操作命令很多,主要是NOP(空超作),Active(),Write,Read,Precharge(Bank关闭),AutoRefresh或SelfRefresh(自动刷新或自刷新)等(细节请参考:Jedec规范JESD79)。DataBus是数据总线,由DQS的上升沿和下降沿判断数据DQ的0与1。 DDR总线PCB走线多,速度快,时序和操作命令复杂,很容易出现失效问题,为此我们经常用示波器进行...