DQM由北桥控制,为了精确屏蔽一个P-BANK位宽中的每个字节,每个DIMM有8个DQM 信号线,每个信号针对一个字节。这样,对于4bit位宽芯片,两个芯片共用一个DQM信号线,对于8bit位宽芯片,一个芯片占用一个DQM信号,而对于 16bit位宽芯片,则需要两个DQM引脚。 预充电tRP(Row Precharge command Period) Prechage:需要pre
DDR3的设计有着严格等长要求,归结起来分为两类(以64位的DDR3为例): 数据 (DQ,DQS,DQM):组内等长,误差控制在20MIL以内,组间不需要考虑等长;地址、控制、时钟信号:地址、控制信号以时钟作参考,误差控制在100MIL以内,Address、Control与CLK归为一组,因为Address、Control是以CLK的下降沿触发的由DDR控制器输出,DDR...
DQS,DQM):组内等长,误差控制在20MIL以内,组间不需要考虑等长;地址、控制、时钟信号:地址、控制信号以时钟作参考,误差控制在100MIL以内,Address、Control与CLK归为一组,因为Address、Control是以CLK的下降沿触发的由DDR控制器输出,DDR颗粒由CLK的上升沿锁存Address、Control总线上的状态,所以需要严格控制CLK与Address/Co...
DQM为掩码信号,他与频闪信号类似,就是选择将某些数据位屏蔽。需要注意的是,在写数据时,利用DQM信号将对应数据屏蔽后,数据就不会写进内存里;但是在读数据阶段,使用DQM将数据屏蔽,数据依然会从内存中读出来,不过在数据输出寄存器处理阶段,不会将被屏蔽的数据输送到I/O口。 1.4 SDRAM的操作时序 1.4.1 引脚示意图 ...
DDR3采用数据掩码(DQM)技术,用于屏蔽不需要的数据。通过采用DQM,DDR3控制器能够以字节为操作单元指示I/O端口数据的有效性,当然在读取DDR3时,被掩码掩掉的数据仍然会从存储器中读出,只是在“掩码逻辑单元”处被屏蔽 6、预充电命令 数据读取完成之后,为了释放DDR3内读出放大器的空间,以供同位置bank内的其他行寻址...
DQM由主控芯片控制,为了精确屏蔽一个P-Bank位宽中的每个字节,每个64bit位宽的数据中有8个DQM信号线,每个信号针对一个字节。这样,对于4bit位宽芯片,两个芯片共用一个DQM 信号线,对于8bit位宽芯片,一个芯片占用一个DQM信号,而对于16bit位宽芯片,则需要两个DQM引脚。SDRAM 官方规定,在读取时DQM发出两个时钟周期后生...
DQM由北桥控制，为了精确屏蔽一个P-Bank位宽中的每个字节，每个DIMM有8个DQM 信号线，每个信号针对一个字节。这样，对于4bit位宽芯片，两个芯片共用一个DQM信号线，对于8bit位宽芯片，一个芯片占用一个DQM信号，而对于 16bit位宽芯片，则需要两个DQM引脚。在数据读取完之后，为了腾出读出放大器以供同一Bank内其他行...
DQM由北桥控制,为了精确屏蔽一个P-Bank位宽中的每个字节,每个DIMM有8个DQM 信号线,每个信号针对一个字节。这样,对于4bit位宽芯片,两个芯片共用一个DQM信号线,对于8bit位宽芯片,一个芯片占用一个DQM信号,而对于 16bit位宽芯片,则需要两个DQM引脚。 在数据读取完之后,为了腾出读出放大器以供同一Bank内其他行的...
DDR3 LAYOUT设计规则(分组,线等等),DDR3的设计有着严格等长要求,归结起来分为两类(以64位的DDR3为例):数据(DQ,DQS,DQM):组内等长,误差控制在20MIL以内,组间不需要考虑等长;地址、控制、时钟信号:地址、控制信号以时钟作参考,误差控制在100MIL以内,Address
对于数据线,DDR1/2与DDR3的规则是一致的:每个BYTE与各自的DQS,DQM等长,即DQ0:7与DQS0,DQM。等长,DQ8:15与DQS1,DQM1等长,以此类推。 DDR2数据线等长规则举例 DDR3数据线等长规则举例 地址线方面的等长,要特别注意,DDR1/2与DDR是很不一样的。