DM是写数据的输入屏蔽信号,在写期间,当伴随输入数据的DM信号被采样为高时,输入数据被屏蔽。最然DM仅作为输入脚,但是,DM负载被设计成与DQ和DQS脚负载相匹配。DM的参考值是 VREFCA引脚。注意: DQS与DM共用一个物理引脚,所以DM可选作为TDQS。 地址线 l A[14:0] 地址总线: 为地址输入,为 ACTIVATE命令提供行地址...
// 输出信号 init_calib_complete.ddr3_cs_n(ddr3_cs_n),// ddr3_cs_n为单输出信号.ddr3_dm(ddr3_dm),// ddr3_dm为双输出信号，位宽为.ddr3_odt(ddr3_odt),// ddr3_odt为单输出信号// 应用接口信号.app_addr(app_addr),// app_addr为输入信号，位宽为.app_cmd(app_cmd),// app_cmd为...
Write Leveling的功能是调整DRAM颗粒端DQS信号和CLK信号边沿对齐;调节过程描述:DDR控制器不停地调整DQS信号相对于CLK的延迟,DRAM芯片在每个DQS上升沿采样CLK管脚上的时钟信号,如果采样值一直低,则会将所有的DQ[n]保持为低电平来告知DDR控制器,tDQSS(DQS, DQS# rising edge to CK, CK#rising edge,在标准中要求为+...
DM 数据屏蔽 DM是写数据的输入屏蔽信号,在写期间,当DM信号被采样为高时,输入数据被屏蔽。虽然DM仅作为输入脚,但是DM负载被设计成与DQ和DQS脚负载相匹配。DM的参考值是 VREFCA。注意: DQS与DM共用一个物理引脚,所以DM可选作为TDQS。 DDR操作 命令模式 其中V表示逻辑电平H或L。 DES & NOP DES(取消选择)和NOP...
由于DQ和DM在很高的速度下传输，所以，需要在每一个字节里，它们要有严格的长度匹配，而且不能有过孔。差分信号对阻抗不连续的敏感度比较低，所以换 D在.设串计扰微带线时，串扰是产生时延的一个相当重要的因素。通常，可以通过加大并行微带线之间的间距来降低串扰的相互影响，然而，在合理利用走线空间上这是一个...
在开机进行 EMRS 时进行设置， ODT 所终结的信号包括 DQS 、DQS# 、DQ 、DM 等。 这样可以产生 更...
而且,上拉到VTT的终端匹配电阻根据SI仿真的结果的走线阻抗,电阻值可能需要做出不同的选择,通常其电阻值在30-70 Ohms之间。而差分信号的阻抗匹配电阻始终在100 Ohms。 3.互联拓扑 对于DDR2和DDR3,其中信号DQ、DM和DQS都是点对点的互联方式,所以不需要任何的拓扑结构,然而例外的是,在multi-rank DIMMs(Dual In Li...
ODT(On-Die Termination)，是从DDR2 SDRAM时代开始新增的功能。其允许用户通过读写DDR2/3内部的MR1寄存器，来控制DDR3 SDRAM中各个信号内部终端电阻的连接或者断开。在DDR3 SDRAM中，ODT功能主要应用于：1、DQ, DQS, DQS# and DM for X4 configuration 2、DQ, DQS, DQS#, DM, TDQS and TDQS# for X8 ...
三、数据选通信号线DQS数据选通信号线DQS 的长度要求如下:1、DQS 差分对内部两根信号线严格等长,差分走线长度偏差推荐小5mil,即DQSP-DQSN< 5mil;2、DQS 以CLK 时钟走线长度为参照进行走线,其走线长度相对于CLK 的走线长度,允许的偏差为±250mil,即:DQS = CLK +/- 250mil。四、数据掩码信号线 DM据...