DDR3/DDR4/LPDDR4三者的不同点从外部来看主要是通过不同的接口来实现。因此我们从接口实现上来看这三者之间的差异。DDR3 DDR3的接口为SSTL(Stub Series Terminated Logic)，匹配电阻上拉到VDDQ/2。DDR4 DDR4匹配电阻上拉到VDDQ，可称为POD(Pseudo Open Drain)，用以减少IO电流消耗。对DDR4的POD来说，drive Hig...
LPDDR4(X):预取宽度更宽为16,而突发长度为16或32。 读取数据时并转串的概念可参见上图所示 4.容量 各代DDR的颗粒及内存条最大容量正在变大 DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到DDR3产品的8倍之多。 举例来说: 目前常见的DDR3大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR...
DDR3/DDR4/LPDDR4三者的不同点从外部来看主要是通过不同的接口来实现。因此我们从接口实现上来看这三者之间的差异。 DDR3DDR3的接口为SSTL(Stub Series Terminated Logic),匹配电阻上拉到VDDQ/2。 DDR4DDR4匹配电…
频率更高: CPU支持度方面,目前仅有高通骁龙810芯片和三星Exynos 7420芯片支持LPDDR4内存,这意味着全球仅少数几款高端手机才能够享受到LPDDR4内存的快感 。不过这并不意味着LPDDR4不能运用于更低级的芯片平台,只不过其工作频率和带宽无法达到最优。 功耗更低: 值得一提的是,LPDDR4在提升了速度的同时,还将工作电压降低...
DDR3/DDR4/LPDDR4三者的不同点从外部来看主要是通过不同的接口来实现。因此我们从接口实现上来看这三者之间的差异。 DDR3 DDR3的接口为SSTL(Stub Series Terminated Logic),匹配电阻上拉到VDDQ/2。 DDR4 DDR4匹配电阻上拉到VDDQ,可称为POD(Pseudo Open Drain),用以减少IO电流消耗。对DDR4的POD来说,drive Hig...
LPDDR4(X):一般也是这个范围,因其为低功耗产品,所以目前主要应用1866Mhz及2133Mhz。 2电压 DDR3:标准电压是1.5V,低电压版本是1.35V。 DDR4:标准电压是1.2V, 有高频内存条电压为1.35V。 LPDDR4:VDD1是1.8V, VDD2和VDDQ均为1.1V。 LPDDR4X:VDD1是1.8V, ...
LPDDR4则是2014年JEDEC发布的新一代低功耗内存标准,其英文全名是Low Power Double Data Rate 4。 顾名思义,Low Power的意思是低功耗,因为智能手机无法像电脑那样提供持续的高强度电压,所以LPDDR内存仅用于移动电子设备,而电脑则继续使用DDR类型内存,其性能...
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相较于 DDR4，相同的制程、速度和容量，DDR3 的尺寸比 DDR4 小 10%，相较于 LPDDR4 会更小。基于...
LPDDR4(X):一般也是这个范围,因其为低功耗产品,所以目前主要应用1866Mhz及2133Mhz。 2.电压 DDR3:标准电压是1.5V,低电压版本是1.35V。 DDR4:标准电压是1.2V, 有高频内存条电压为1.35V。 LPDDR4:VDD1是1.8V, VDD2和VDDQ均为1.1V。 LPDDR4X:VDD1是1.8V, ...