· 首先上电,RESET#信号需要在电源上电完成后保持低电平200us,CKE需要在RESET#拉高之前被拉低,且最少维持10ns; · 在RESET#被拉高之后,需要等待500us直到CKE被拉高。在这段时间内,DRAM会开始内部初始化; · 在CKE拉高之前,时钟(CK、CK#)必须开始且稳定至少10ns或5个tCK,此外在这个期间必须标记一个NOP或Desel...
在CKE拉高之前,时钟(CK,CK#)必须开始且稳定至少10ns或5个tCK。图中可以看到一个tIS时间,这个时间是CKE关于时钟的setup时间,因为CKE是一个同步信号。在CKE拉高之前且使用tIS设定自己的同时,NOP和Deselect命令也必须registed。在Reset之后当CKE拉高,CKE就必须持续拉高直到初始化过程结束。图中可以看到CKE持续拉高到tDLLK...
l CKE时钟使能引脚(输入): CKE为高电平时,启动内部时钟信号、设备输入缓冲以及输出驱动单元。CKE低电平时则关闭上述单元。当CKE为低电平时,可使设备进入PRECHARGE POWER DOWN、SELF-REFRESH以及ACTIVE POWER DOWN模式。CKE与SELF REFRESH退出命令是同步的。在上电以及初始化序列过程中,VREFCA与VREF将变得稳定,并且在后...
RESET：芯片复位引脚，低电平有效，用于重启芯片。CKE：时钟使能引脚，用于启用或禁用时钟信号。A12：作为地址引脚，A12也被称为BC引脚，它具有双重功能。在READ和WRITE命令期间，A12会被采样，从而决定是否执行burst chop操作。CK和CK#：这两根引脚构成DDR3的差分时钟线，控制信号和地址信号会在CK的上升沿和CK#的下降...
把CKE信号置于高状态(HIGH)即可使内存退出节电模式。低功耗模式的转换由内存控制器管理,这样就可以按需使内存进入和退出低功耗模式,从而赋予设备更多的灵活性。通常,DDR3内存会在收到相应命令后的一个内存时钟周期内进入所需的低功耗模式,并在满足必要条件的情况下退出该低功耗模式。根据JEDEC规范,DDR3-800型内存进入...
[0:0] ddr3_ck_p.ddr3_cke(ddr3_cke),// output [0:0] ddr3_cke.ddr3_ras_n(ddr3_ras_n),// output ddr3_ras_n.ddr3_reset_n(ddr3_reset_n),// output ddr3_reset_n.ddr3_we_n(ddr3_we_n),// output ddr3_we_n.ddr3_dq(ddr3_dq),// inout [15:0] ddr3_dq.ddr3_...
ddr3_cke: 管脚定义:output [0:0] ddr3_cke 管脚说明:时钟使能信号,当其为高时使能内部电路和DRAM上的时钟。 ddr3_ck_p & ddr3_ck_n: 管脚定义:output [0:0] ddr3_ck_p, output [0:0] ddr3_ck_n 管脚说明:差分时钟输入,所有控制和地址输入信号在CK_P时钟的上升沿和CK_N的下降沿交叉处采样。
如图所示,CLK和CKE是一对差分时钟,CS#,WE#,CAS#,RAS#是控制信号,用来配置模式寄存器,左下角的地址线用来传输相应的地址,分别有Bank地址,行地址和列地址,中间的那一大块的作用就是选中对应的行和列,Bank存储阵列的规格是32M\*4bit,代表了四片芯片位宽为4bit的Bank,所以它的物理Bank位宽就是4\*4=16bits。右...
output [0:0] ddr3_cke; 管脚说明: 时钟使能信号,当其为高时时使能内部电路和DRAM上的时钟。由DDR3配置和操作模式决定特定电路的使能和禁止。CKE为低,提供PRECHARGE、POWER_DOWN、SELF_REFRESH操作(所有的bank都处于空闲),或者有效掉电(在任何bank里的行有效)。CKE与掉电模式的进入与退出状态同步,与自刷新模式...