如果满足以下条件,则非字节组引脚(即HP Bank中的VRN/VRP引脚和HR Bank中的顶部/底部引脚)可用于地址/控制引脚:--对于HP Bank,使用DCI级联,或Bank不需要VRN/VRP引脚,仅用于输出;--相邻字节组(T0/T3)用作地址/控制字节组;--相邻字节组(T0/T3)中存在未使用的引脚,或CK输出包含在相邻字节组中。 从die角度来看...
04、控制器之间的Bank共享 内存接口中使用的Bank中的未使用部分管脚不允许与另一个内存接口共享。控制Bank中所有FIFO和相位器的专用逻辑设计为仅使用单个内存接口运行,不能与其他内存接口共享。除了MIG核心支持的双控制器中的共享地址和控制。 05、系统时钟、PLL和MMCM分配和约束 强烈建议PLL和MMCM时钟位于存储器接口B...
在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(Point-to-two-Point,P22P)的关系(双物理Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面,与DDR...
Bank选择规则。 DDR3内存中的Bank是用于存储数据的物理区域,Bank的选择对内存访问的效率和性能有重要影响。以下是DDR3中的Bank选择规则: 1. Bank结构: DDR3内存模块通常包含多个Bank,每个Bank都有自己的存储单元。 Bank的数量和结构取决于DDR3内存模块的规格和设计。 2. Bank组织: Bank通常被组织成Bank组,每个Bank...
BA[2:0]:BA0~BA2为Bank的选择线,由2^3=8,可以总共有8个Bank。 8个Bank区域,DDR3一般有8个Bank区域。 3、数据总线 DQ[15:0]:DQ0~DQ15为16根数据线,该DDR3L的宽度为16位。 LDQS,LDQS#:数据选通引脚,对应低字节DQ0~DQ7,读的时候是输出,写的时候为输入; ...
DDR3内部的BANK可以看做是一个NxN的一个阵列，B代表Bank编号，C代表列地址编号，R代表行地址编号。如果寻址命令是B1、R2、C6，就能确定地址是图中红格的位置。目前DDR3内存芯片基本上都是8个Bank设计，也就是说一共有8个这样的“表格”。寻址的流程也就是先指定Bank地址，再指定行地址，然后指定列地址最终的确...
Bank数量越多,需要的Bank选择线越多,DDR3有8个bank,需要3个BA信号BA0~2。BA,行地址,列地址共同组成了存储单元的访问地址,缺一不可。 5、DDR的容量计算 下图是DDR3 1Gb的寻址配置,以其中128Mbx8为例说明,其中x8表示IO数据(DQ)位宽度。 我的理解是,这个page size更像是逻辑上的一个页,并不是一个bank中...
DDR寻址流程是:先指定BANK地址,再指定行地址,然后指列地址最终的确寻址单元。在实际工作中,BANK地址与相应的行地址是同时发出的,此时这个命令称之为“行激活”(Row Active)。在此之后,将发送列地址寻址命令与具体的操作命令(是读还是写),这两个命令也是同时发出的,所以一般都会以“读/写命令”来表示列寻址。 tRCD...
列类似,如果表示列的有A0~A9,单个bank中列总量为2^10. 下面来看看16bit/32bit内存的概念。 这儿所说的16bit/32bit,指的是内存中以多长为单位进行存储。 16bit,即是说内存中是以16bit为单位访问内存的,也就是说,你给内存一个地址,内存会给你一个16bit的数据到数据线。
DDR3内部Bank示意图,这是一个MXN的阵列,B代表Bank地址编号,C代表列地址编号,R代表行地址编号。如果寻址命令是B1、R3、C4,就能确定地址是图中红格的位置目前DDR3内存芯片基本上都是8个Bank设计,也就是说一共有8个这样的“表格”。寻址的流程也就是先指定Bank地址,再指定行地址,然后指列地址最终的确寻址单元。