WE#:写使能信号。 2、地址线 A[14:0]:15根行地址线A0～A14和10根列地址线A0~A9,行地址线和列地址线进行复用。 BA[2:0]:BA0~BA2为Bank的选择线,由2^3=8,可以总共有8个Bank。 8个Bank区域,DDR3一般有8个Bank区域。 3、数据总线 DQ[15:0]:DQ0~DQ15为16根数据线,该DDR3L的宽度为16位。
Bank数量越多,需要的Bank选择线越多,DDR3有8个bank,需要3个BA信号BA0~2。BA,行地址,列地址共同组成了存储单元的访问地址,缺一不可。 5、DDR的容量计算 下图是DDR3 1Gb的寻址配置,以其中128Mbx8为例说明,其中x8表示IO数据(DQ)位宽度。 我的理解是,这个page size更像是逻辑上的一个页,并不是一个bank中,...
发送MRS命令给MR2(BA0,2=0 and BA1=1) 发送MRS命令给MR3(BA2=0 and BA0,1=1) 发送MRS命令给MR1 且激活DLL(发送DLL enable命令,需要A0=0,BA0=1且BA1,2=0) 发送MRS命令给MR0且 RESET DLL(发送DLL RESET命令,需要A8=1,BA0,1,2=0) 发送ZQCL命令开始ZQ校准过程。 等待tDLLK和tZQinit完成。
该 DDR3 是 8Bank 配置,即 BA[2:0];数据位宽配置为16bit;行地址 A[14:0],列地址 A[9:0],那么算下来正好 4Gb。不过需要注意,由于 8n prefetch,列地址 A[2:0]实际上并不使用,因为存储矩阵中一个单元(CELL)为 128bit,即一个 Bank 内是按 32768*128*128 划分的,如下图所示。 顺便讲一下逻辑 Ban...
4、ddr3_ba 管脚定义: output [2:0] ddr3_ba; 管脚说明: Bank地址输入,定义ACYIVATE、READ、WRITE或者PRECHARGE是针对哪一个bank进行的。 5、ddr3_ras_n 管脚定义: output ddr3_ras_n; 管脚说明: 命令输入管脚,与cas_n/we_n/cs_n定义一个命令。
Bank数量越多,需要的Bank选择线越多,DDR3有8个bank,需要3个BA信号BA0~2。BA,行地址,列地址共同组成了存储单元的访问地址,缺一不可。 3.5 DDR的容量计算 下图是DDR3 1Gb的寻址配置,以其中128Mbx8为例说明,其中x8表示IO数据(DQ)位宽度。 我的理解是,这个page size更像是逻辑上的一个页,并不是一个bank中...
价格：通常情况下，DDR3内存比DDR2内存更贵，但性能也更好。应用场景：DDR2内存主要用于较旧的计算机和设备中，而DDR3内存则用于较新的计算机和设备中。参考DDR3显存是什么：http://www.haodianba.com/shuma/29413.html 通过这些区别，你可以更容易地识别和选择适合你设备的内存类型。
BA[2:0]:Bank地址信号; A[14:0]:地址总线。 2.3 控制组:CK/CK#、CKE、CS#、RAS#、CAS#、WE#、RESET#、ODT、 ZQ# CK/CK#:时钟信号,双沿采样DQ数据;CKE:时钟使能信号;CS#:DDR3片选信号,低有效;RAS#:行选通信号;CAS#:列选通信号;WE#:写使能信号;ODT:片上终端使能信号。DDR3芯片数据组是有片上...
A0-A15,BA0-BA2, CKE,CLK-CLKN , CASN,CSN0,xRASN,RESET,WEN,ODT 说明:TI的文档是把地址和数据的时钟放在一组的,但是等长时,地址线与地址的时钟等长,数据线与数据的时钟等长。我这里是把数据和地址的时钟分别放到了数线线和地址线组。 因此次只是单片DDR,不涉及拓扑结构。
参考ddr2和ddr3的区别：http://www.haodianba.com/shuma/29927.html 由于上述差异，DDR2和DDR3内存不能在同一主板上一起使用。主板设计时会根据内存类型来设计相应的内存插槽，因此，如果你的主板支持DDR2，它将不会有DDR3的插槽，反之亦然。如果你需要升级内存，你需要确保购买的内存类型与你的主板兼容。如果你...