该时序图说明,写入的数据可以在三个时间点给出,以command发起为基准,在command发起前后的1,2,3不同时间都可以指定写入数据,需要注意的是写入数据的有效通过app_wdf_wren和app_wdf_end信号来指示。 app_wdf_en为高表示数据写入,在第158个时钟周期,app_wdf_rdy拉低持续5个用户时钟周期,此时即使app_wdf_en一直拉...
从图中可以看到app_cmd和app_addr只有在app_en和app_rdy同时有效的时候才算发送成功。通过实际测试发现,app_rdy每接收4个左右的命令后就会拉低。 数据接口的时序如下图所示,数据只有在app_wdf_rdy和app_wdf_wren同时有效的时候,app_wdf_data才会被写入到mig中。 在读写的过程中有2个问题需要注意: (1)、数...
app_wdf_rdy,写数据FIFO准备ok,可以写数据到DDR3; app_wdf_wren,写数据有效信号,高有效; app_wdf_end,表示当前写为最后一个数据,根据DDR3写时序,该信号和app_wdf_wren时序相同即可; app_wdf_data,写DDR3数据,需要注意该接口数据位宽的计算; app_rd_data,读出DDR3数据,该接口位宽和app_wdf_data相同; app...
在MIG IP的接口时序中，与写数据相关的信号包括app_wdf_data、app_wdf_end、app_wdf_wren、app_wdf_mask以及app_wdf_rdy。这些信号各自扮演着不同的角色：app_wdf_data用于传输写数据，app_wdf_end则在突发写入时标记最后一次数据，app_wdf_wren作为写数据使能信号，在高电平时有效。而app_wdf_mask作为16位的...
app_rdy,准备ok信号,表示UI接口可以接收命令数据; app_wdf_rdy,写数据FIFO准备ok,可以写数据到DDR3; app_wdf_wren,写数据有效信号,高有效; app_wdf_end,表示当前写为最后一个数据,根据DDR3写时序,该信号和app_wdf_wren时序相同即可; app_wdf_data,写DDR3数据,需要注意该接口数据位宽的计算; ...
reg ddr3_app_en; reg [15:0] ddr3_app_wdf_data; reg ddr3_app_wdf_end; reg ddr3_app_wdf_wren; wire [15:0] ddr3_app_rd_data; wire ddr3_app_rd_data_end; wire ddr3_app_rd_data_valid; wire ddr3_app_rdy; wire ddr3_app_wdf_rdy; ...
当app_wdf_rdy为高电平时,即可拉高app_wdf_en写入数据 数据可在命令之前、同时或最大不慢于2个周期写入 读数据 写入读命令后,数据可能在若干个周期后读出,伴随app_rd_data_valid信号拉高 如何对自己的DDR3读写模块进行仿真? 由于仿真需要DDR3模型,而自己写一个DDR3模型过于复杂,因此可通过利用example design的...
app_wdf_rdy:在app_wdf_rdy拉高的时候拉高app_wdf_wren,写入数据app_wdf_data才有效; 所以写入数据是两系统:一是地址,二是数据 地址内容是app_addr,它在app_rdy(DDR控制)和app_en(设计者自己控制)同时拉高的时候才有效; 数据内容是app_wdf_data,它在app_wdf_rdy(DDR控制)和app_wdf_wren(设计者自己控制)...
app_wdf_wren ( app_wdf_wren ), //读DDR3相关的信号 .app_rd_data ( mig_ddr3_read_data_o ), //数据位宽为128bit .app_rd_data_end ( ), .app_rd_data_valid ( app_rd_data_valid ), //MIG 准备就绪信号输出 .app_rdy ( app_rdy ), .app_wdf_rdy ( ), //一般不需要...
视频处理写请求中断处理流程图如图 6所示。当视频处理模块写请求信号有效时,生成子中断请求信号,若总线空闲则响应该中断。当命令接收就绪(app_rdy=1)且数据接收就绪 (app_wdf_rdy=1)时,从视频处理缓存区中读取地址和数据,同时发送写命令、写地址和写数据。若缓存区为空,说明全部写完,视频处理写中断结束。