1 校准流程 (1) 由主控端发出校准命令 (2) 校准模块根据内部PVT和外部240欧姆固定阻值,校准内部阻值单元为240欧姆 (3) 通过PZQ设置,再计算出实际的上下拉阻值,应用于所有带ODT功能的管脚 实际的校准很复杂,每个管脚上有7个电阻网络,每个网络中有一个大于240欧姆的电阻,通过控制并联的pmos开关(导通千欧级的管子...
从原理上解释ddr的zq校准过程 ZQ 校准启动由特定的控制信号触发。它依赖于外部高精度的参考电阻。校准过程会检测并调整内部电阻值。以确保输出驱动强度的准确性。能有效减少信号反射和失真。其原理涉及复杂的模拟电路设计。通过不断测量和比较来优化参数。校准的频率可能会根据系统需求而定。 有助于提高数据传输的可靠...
ZQ 校准 如下图三所示， ZQ 是DDR3一个新增的引脚，在这个引脚上接有一个 240 欧姆的低公差参考...
如上图所示,当进行ZQ校准时,首先进行的步骤是将Vpull-up拉高,将Vpull-up leg的电压拉高到VDDQ,此时校准控制模块会不断的控制P-channel部分的电路,通过Xres部分的电压和VDDQ/2进行比较并反馈,最终使得上拉部分的电压达到较为精确的240ohm。 校准控制模块是通过VOH[0:4]对P-channel进行控制的,校准后的值会保存在...
DDR3中的ZQ校准用于输出驱动器和ODT,每个DRAM的ZQ pin都被连接到外部的±1%精度的240ohm电阻,该电阻是可以在所有的Device之间共享的。 pull-up 校准 校准控制模块由如下几个部分组成: 1、ADC 2、比较器 3、majority filter-择多滤波器 4、内部参考电压发生器 ...
ZQ 校准 如下图三所示, ZQ 是DDR3一个新增的引脚,在这个引脚上接有一个 240 欧姆的低公差参考电阻。 这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎( ODCE ,On-DieCalibrationEngine )来自动校 验数据输出驱动器导通电阻与 ODT 的终结电阻值。 当系统发出这一指令之后, 将用相应的时 ...
连接至 DQ 校准控制模块的电路包括一个由两个电阻组成的分压电路,其中一个是上面提到的可调阻值的 poly 电阻,而另一个则是精准的 240 欧姆电阻。 当ZQCL 命令发出后,DQ 校准控制模块使能,并通过其内部逻辑控制 VOH[0:4] 信号调整 poly 电阻阻值,直到分压电路的电压达到 VDDQ/2,即两者均为 240 欧姆。此时...
Reset是DDR3新增的重置功能，通过专用引脚实现内存初始化的简化，节省电力，所有内部组件在Reset期间进入休眠状态，确保系统的高效运行。ZQ校准则利用ZQ引脚上的参考电阻，通过片上校准引擎自动调整数据驱动器和ODT电阻，确保信号传输的精确性。最后，VREF在DDR3中分为VREFCA和VREFDQ，分别服务于命令地址和数据...
4.DDR3新增ZQ校准功能 ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240Ω的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新...